[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210319790.0
• 申請(qǐng)日: 2012-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103682108A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;馮小明;陳吉星
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光器件領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光二極管具有一種類(lèi)似三明治的結(jié)構(gòu)，其上下分別是陰極和陽(yáng)極，二個(gè)電極之間夾著單層或多層不同材料種類(lèi)和不同結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料功能層，依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層。有機(jī)電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽(yáng)極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽(yáng)極，電子從陰極分別注入到工作器件的有機(jī)材料層中，兩種載流子在有機(jī)發(fā)光材料中形成空穴-電子對(duì)發(fā)光，然后光從電極一側(cè)發(fā)出。

通過(guò)選擇合適的有機(jī)材料和合理的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，已使器件性能的各項(xiàng)指標(biāo)得到了很大的提升。例如采用PN摻雜傳輸層的工藝，可以降低器件的啟動(dòng)電壓以提高光效，并且有利于壽命的提高。對(duì)于電子傳輸層的N摻雜而言，通常采用堿金屬化合物進(jìn)行摻雜，這是由于堿金屬功函低，容易實(shí)現(xiàn)N摻雜效果，但是堿金屬離子體積小，擴(kuò)散能力強(qiáng)，在有機(jī)層中的擴(kuò)散距離長(zhǎng)，堿金屬離子除了摻雜在傳輸層中，還有可能擴(kuò)散至發(fā)光層中，直接導(dǎo)致激子的淬滅，影響器件的光效和壽命。

傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件采用電子傳輸材料，如Bphen，作為空穴阻擋層，然而傳統(tǒng)的電子傳輸材料的成膜質(zhì)量較差，從而導(dǎo)致其阻擋效果較差，影響了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu)：透明基底、陽(yáng)極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極；

所述空穴阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)金屬配合物；

所述有機(jī)金屬配合物的配體為羥基喹啉、羥基喹啉衍生物、羥基苯并喹啉或羥基苯并喹啉衍生物。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)金屬配合物的金屬為鈹、鎵、鋅、銦或鋁。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)金屬配合物為雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁、8-羥基喹啉鋁、8-羥基喹啉鎵、8-羥基喹啉銦、8-羥基喹啉鋅、8-羥基喹啉鈹、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹、三(5-羥甲基-8-羥基喹啉)鋁和雙(5,7-二氯-8-羥基喹啉)(8-羥基喹啉)鋁中的至少一種。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴阻擋層的厚度為5nm~20nm。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述電子傳輸層的材質(zhì)為摻雜了Li₂CO₃、LiN₃、LiF、CsN₃、Cs₂CO₃和CsF中的至少一種的電子傳輸材料；

所述電子傳輸材料為2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羥基喹啉)-鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲、1,2,4-三唑衍生物和雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁中的至少一種；

所述Li₂CO₃、LiN₃、LiF、CsN₃、Cs₂CO₃和CsF占所述電子傳輸層的質(zhì)量百分比為5%~30%；

所述電子傳輸層的厚度為30nm~80nm。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了發(fā)光材料的主體材料；

所述發(fā)光材料為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羥基喹啉）-（4-聯(lián)苯酚）鋁、4-（二腈甲烯基）-2-異丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羥基喹啉鋁、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯、雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥、雙（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥和三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一種；