[發明專利]預測式的觸摸表面掃描有效
| 申請號: | 201210319662.6 | 申請日: | 2012-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN103034358A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發明(設計)人: | 大衛·G·懷特;史蒂文·科羅克維斯基;愛德華·L·格里芙娜 | 申請(專利權)人: | 賽普拉斯半導體公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;鄭霞 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 預測 觸摸 表面 掃描 | ||
1.一種方法,包括:
基于對觸摸傳感表面的第一次掃描,確定接近所述觸摸傳感表面的傳導物體的第一分辨位置;
預測所述傳導物體的位置;以及
通過執行對所述觸摸傳感表面的傳感器元件的子集的第二次掃描來確定所述傳導物體的第二分辨位置,其中,所述傳感器元件的子集基于所述傳導物體的所述預測位置來選擇。
2.如權利要求1所述的方法,其中,所述傳感器元件的子集包括與環繞所述預測位置的區域內的其他傳感器元件交叉的傳感器元件。
3.如權利要求1所述的方法,其中,預測所述傳導物體的位置包括計算所述傳導物體的速度。
4.如權利要求1所述的方法,其中,預測所述傳導物體的位置包括選擇所述第一分辨位置作為所述預測位置。
5.如權利要求1所述的方法,其中,預測所述傳導物體的位置包括計算所述傳導物體的加速度。
6.如權利要求1所述的方法,還包括:
通過執行一系列互電容掃描來跟蹤所述傳導物體的分辨位置,其中,所述第二次掃描是所述一系列互電容掃描中的一個;以及
通過在所述一系列互電容掃描中的互電容掃描之間的時間期間在所述觸摸傳感表面的至少一部分上掃描新接觸部來檢測接近所述觸摸傳感表面的額外的傳導物體。
7.如權利要求6所述的方法,其中,掃描新接觸部包括:
使一組傳感器元件彼此電耦合,以及
測量電耦合的這組傳感器元件的自電容。
8.如權利要求6所述的方法,其中,所述自電容掃描包括傳感器元件的第二子集,所述傳感器元件的第二子集表示少于所述觸摸傳感表面的全部傳感器元件。
9.一種方法,包括:
基于對觸摸傳感表面的第一次掃描來確定接近所述觸摸傳感表面的傳導物體的位置;
基于所述第一次掃描和第二次掃描之間的持續時間來計算所述傳導物體的預測位置的搜索窗口;以及
執行所述第二次掃描,其中,所述第二次掃描包括傳感器元件的交叉點,其中,所述交叉點在所述搜索窗口內。
10.如權利要求9所述的方法,其中,所述搜索窗口包括在環繞所述預測位置的區域內的傳感器元件的交叉點。
11.如權利要求9所述的方法,其中,計算所述搜索窗口包括計算所述傳導物體的速度。
12.如權利要求9所述的方法,其中,計算所述搜索窗口包括計算所述傳導物體的加速度。
13.如權利要求9所述的方法,還包括:
通過執行一系列互電容掃描來跟蹤所述傳導物體的分辨位置,其中,所述第二次掃描是所述一系列互電容掃描中的一個;以及
通過在所述一系列互電容掃描中的互電容掃描之間執行對所述觸摸傳感表面的至少一部分的自電容掃描來檢測在所述觸摸傳感表面處的額外的傳導物體。
14.如權利要求9所述的方法,還包括:響應于確定所述傳導物體沒有在所述搜索窗口內,通過掃描額外的傳感器元件交叉點來擴大所述搜索窗口。
15.如權利要求14所述的方法,其中,所述搜索窗口被擴大為包括整個觸摸傳感表面。
16.如權利要求14所述的方法,其中,所述搜索窗口基于所述傳導物體的移動方向來擴大。
17.如權利要求14所述的方法,其中,所述搜索窗口被擴大為包括最靠近具有最高被測電容值的交叉點的額外交叉點。
18.一種觸摸傳感系統,包括:
電容傳感器陣列,其包括多個傳感器元件;
電容傳感器,其被配置成測量所述多個傳感器元件的各傳感器元件之間的多個交叉點的每個交叉點的電容;以及
處理邏輯,其被配置成基于掃描搜索窗口內的、交叉點的子集來確定傳導物體的分辨位置,其中,所述搜索窗口界定圍繞所述傳導物體的預測位置的區域。
19.如權利要求18所述的觸摸傳感系統,其中,所述預測位置基于所述傳導物體的至少一個先前確定的位置來推斷。
20.如權利要求18所述的觸摸傳感系統,其中,所述電容傳感器還被配置成:
執行作為一系列互電容掃描之一的第二次掃描,以及
在所述一系列互電容掃描的互電容掃描之間執行對所述觸摸傳感表面的至少一部分的自電容掃描;以及
其中,所述處理邏輯還被配置成:
基于所述一系列互電容掃描來隨著時間的過去跟蹤所述傳導物體的分辨位置,以及
基于所述自電容掃描來檢測在所述觸摸傳感表面處的額外的傳導物體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于賽普拉斯半導體公司,未經賽普拉斯半導體公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210319662.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種膜式液基薄層細胞制片機的壓力控制裝置
- 下一篇:藝術散熱器





