[發(fā)明專利]一種可鋼化的、鍍有低輻射鍍膜的玻璃制品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210319639.7
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN102848653A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余華駿;黃穎;崔平生
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞南玻工程玻璃有限公司
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;B32B9/04
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 張艷美;郝傳鑫

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及玻璃技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可鋼化的、鍍有低輻射鍍膜的玻璃制品。

背景技術(shù)

市面上已有多種鍍膜玻璃產(chǎn)品出現(xiàn)，但是這些鍍膜玻璃產(chǎn)品所使用的鍍膜材料都不能耐高溫，對于需要鋼化的玻璃，鍍膜過程必須在鋼化以后進行。對一些有特殊形狀要求的玻璃，鋼化以后定型為曲面，而曲面玻璃鍍膜時很難保證膜層均勻。另外由于玻璃的鋼化過程必須在被切割成所需尺寸后進行，因此將鋼化后的玻璃進行鍍膜時，工作臺面上的玻璃也是按照切割后的尺寸來放置的。這樣，那些不規(guī)則形狀的玻璃使得工作臺面的裝載率低下，鍍膜的效率也很低。

為此，人們對鍍膜進行了大量研究，希望能得到可以耐高溫的鍍膜，以便能在鍍膜后進行玻璃鋼化工藝。申請?zhí)枮椋?00920068698.5的專利文獻就公開了一種可鋼化雙銀復合結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃，該膜層結(jié)構(gòu)自玻璃向外層依次為:玻璃、包含吸收層的基層復合電介質(zhì)層、銀層、阻隔層、包含吸收層的中層復合電介質(zhì)層、銀層、阻隔層、頂層電介質(zhì)層，該技術(shù)通過選擇各層的厚度和膜層成分，生產(chǎn)出可以進行高溫熱處理的雙銀結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃。這對于鍍膜后再進行鋼化是一個突破，但是，該技術(shù)的層結(jié)構(gòu)復雜，成本高，而且其性能單一，只是為了可以進行高溫處理的性能。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供了一種結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，性能多元化的可鋼化的、鍍有低輻射鍍膜的玻璃制品。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種可鋼化的、鍍有低輻射鍍膜的玻璃制品，包括玻璃基片層和鍍膜層，所述鍍膜層自玻璃基片層向外，依次包括Si₃N₄層、NiCr層、Ag層、NiCr層、和Si₃N₄層，所述玻璃制品結(jié)構(gòu)為Glass/Si₃N₄/NiCr/Ag/NiCr/Si₃N₄。

較佳地，所述鍍膜層還包括Si₃N₄層和NiCr層，所述玻璃制品結(jié)構(gòu)為：Glass/Si₃N₄/NiCr/Si₃N₄/NiCr/Ag/NiCr/Si₃N₄

較佳地，所述鍍膜層還包括ZnO層、Si₃N₄層和TiO₂層，所述玻璃制品結(jié)構(gòu)為Glass/Si₃N₄/NiCr/ZnO/NiCr/Ag/NiCr/Si₃N₄/TiO₂。

較佳地，所述鍍膜層結(jié)構(gòu)為Si₃N₄/NiCr/Si₃N₄/NiCr/Ag/NiCr/Si₃N₄/TiO₂。

較佳地，所述NiCr層單層的厚度為1～10nm；所述Si₃N₄層單層的厚度為5～60nm；所述Ag層單層的厚度為5～20nm；所述Si₃N₄層單層的厚度為30～60nm；所述TiO₂層單層的厚度為2～15nm；所述ZnO層單層的厚度為5～40nm。

本發(fā)明包括玻璃基片層和鍍膜層，鍍膜層自玻璃基片向外，依次包括Si₃N₄層、NiCr層、Ag層、NiCr層、和Si₃N₄層，所述玻璃制品結(jié)構(gòu)為Glass/Si₃N₄/NiCr/Ag/NiCr/Si₃N₄；在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明還包括多一Si₃N₄/NiCr層結(jié)構(gòu)，相對現(xiàn)有技術(shù)的多層結(jié)構(gòu)節(jié)約成本，工序簡單。其中Ag層為功能層，其對于可見光波段具有較高的透過率，能保證自然采光良好，但同時又能有效限制太陽熱輻射的透過、尤其是近紅外熱輻射的透過。