[發明專利]故障安全的電流隔離阻障部有效
| 申請號: | 201210319439.1 | 申請日: | 2012-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN102916386A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | R·阿利尼;R·K·古普塔;B·波薩特 | 申請(專利權)人: | 馬克西姆綜合產品公司 |
| 主分類號: | H02H3/08 | 分類號: | H02H3/08 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 韓宏;陳松濤 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 故障 安全 電流 隔離 阻障 | ||
1.一種系統,包括:
發送器;
接收器;
隔離阻障部,所述隔離阻障部連接至所述發送器;以及
熔斷器,所述熔斷器連接在所述隔離阻障部和所述接收器之間,其中:
當所述隔離阻障部兩端的電壓小于第一擊穿電壓時,所述隔離阻障部阻止電流從所述發送器流至所述接收器,
當所述隔離阻障部兩端的電壓大于或等于所述第一擊穿電壓時,所述隔離阻障部短路,
當所述隔離阻障部短路時,所述熔斷器斷開,以及
當所述熔斷器斷開時,所述熔斷器具有大于所述第一擊穿電壓的第二擊穿電壓。
2.根據權利要求1所述的系統,其中:
所述熔斷器包括導電材料,并且
當所述隔離阻障部短路時,所述導電材料氧化。
3.根據權利要求2所述的系統,其中所述第一擊穿電壓大于1千伏特(kV)。
4.根據權利要求2所述的系統,其中所述第二擊穿電壓至少是所述第一擊穿電壓的兩倍。
5.根據權利要求2所述的系統,其中所述熔斷器包括所述導電材料氧化之前的第一電阻和所述導電材料氧化之后的第二電阻,以及
其中所述第一電阻小于所述第二電阻。
6.根據權利要求5所述的系統,其中所述第一電阻在1歐姆和10千歐姆之間。
7.根據權利要求5所述的系統,其中所述第二電阻至少是所述第一電阻的兩倍。
8.根據權利要求1所述的系統,其中所述熔斷器包括薄膜電阻器。
9.根據權利要求1所述的系統,其中所述隔離阻障部包括電容性隔離阻障部。
10.根據權利要求1所述的系統,其中所述隔離阻障部包括電感性隔離阻障部。
11.根據權利要求1所述的系統,其中所述隔離阻障部包括巨磁阻(GMR)隔離阻障部。
12.根據權利要求1所述的系統,其中所述熔斷器包括多晶硅。
13.根據權利要求1所述的系統,其中所述熔斷器包括鎳鉻。
14.根據權利要求1所述的系統,其中所述熔斷器包括鉻硅。
15.根據權利要求1所述的系統,其中所述發送器實施在第一集成電路上,所述接收器實施在第二集成電路上,并且所述隔離阻障部和所述熔斷器實施在第三集成電路上,并且
其中所述第一集成電路、第二集成電路以及第三集成電路是不同的。
16.根據權利要求1所述的系統,其中所述發送器、所述隔離阻障部以及所述熔斷器實施在第一集成電路上,并且所述接收器實施在第二集成電路上,并且
其中所述第一集成電路和第二集成電路是不同的。
17.根據權利要求1所述的系統,其中所述發送器實施在第一集成電路上,并且所述隔離阻障部、所述熔斷器以及所述接收器實施在第二集成電路上,并且
其中所述第一集成電路和第二集成電路是不同的。
18.根據權利要求1所述的系統,還包括:
電流傳感器,所述電流傳感器測量流經所述熔斷器的電流;以及
阻障監控模塊,所述阻障監控模塊在所述電流近似為零時,指示所述熔斷器斷開。
19.根據權利要求18所述的系統,還包括指示燈,
其中所述阻障監控模塊在所述電流近似為零時,點亮所述指示燈。
20.根據權利要求18所述的系統,其中所述阻障監控模塊在所述電流近似為零時輸出信號。
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