[發(fā)明專利]一種基于微腔結(jié)構(gòu)的聚合物太陽能電池及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210319235.8 | 申請日: | 2012-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102832346A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 沈亮;阮圣平;劉彩霞;于文娟;郭文濱;董瑋;張歆東;陳維友;陸斌武 | 申請(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué);無錫海達(dá)安全玻璃有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 長春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201 | 代理人: | 張景林;劉喜生 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 結(jié)構(gòu) 聚合物 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于微腔結(jié)構(gòu)的聚合物太陽能電池及其制備方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)太陽能電池多數(shù)以ITO作為電極,而且昂貴的銦是構(gòu)成ITO的主要原料,因此高成本將是導(dǎo)致有機(jī)太陽能電池在大規(guī)模生產(chǎn)中出現(xiàn)瓶頸的主要因素之一。另一方面,生產(chǎn)ITO需要很強(qiáng)的能量,在提供能量的過程中會引起很多環(huán)境問題,這些環(huán)境問題最終會導(dǎo)致能源成本的提高,從而引起太陽能電池成本的提高。而聚合物太陽能電池由于其廉價、柔性、大面積等優(yōu)點(diǎn),已成為近年來清潔、可再生能源研究領(lǐng)域的一個熱點(diǎn),其中ITO-Free聚合物太陽能電池在一步步的探索中被認(rèn)為具有很強(qiáng)大的商業(yè)潛能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種基于微腔結(jié)構(gòu)的聚合物太陽能電池的制備方法,該太陽能電池以石英玻璃為襯底,以在石英玻璃上蒸鍍的WO3/Ag/WO3膜為底電極,以聚合物材料為有源層,以LiF/Al復(fù)合層為頂電極;Ag和Al電極之間形成金屬微腔結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)能夠使器件內(nèi)部的光來回振蕩,發(fā)生光學(xué)諧振作用,使有源層材料的吸收得到增強(qiáng),從而提高了器件的短路電流密度和能量轉(zhuǎn)化效率,利用本方法制備的微腔結(jié)構(gòu)聚合物太陽能電池,解決了傳統(tǒng)聚合物太陽能電池吸收范圍窄、光子率利用率低的問題。有源層為P3HT(Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl),聚3己基噻吩)與PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric?acid?methyl?ester,富勒烯衍生物)按照1:0.8~1的質(zhì)量比混合物。
本發(fā)明所述的一種基于微腔結(jié)構(gòu)的聚合物太陽能電池的制備方法,其步驟如下:
1.使用清潔的石英玻璃作為襯底,首先通過真空蒸發(fā)的方式在石英玻璃上得到半透明底電極(WO3/Ag/WO3):在多源有機(jī)氣相分子沉積系統(tǒng)中,在石英玻璃上依次蒸鍍30~50nm厚的WO3,10~20nm厚的Ag和15~30nm厚的WO3,蒸發(fā)速度為0.2~0.5nm/s,使用膜厚儀檢測材料蒸發(fā)速度;
2.有源層是聚合物太陽能電池的吸光層,平整的有源層薄膜是獲得高效率電池的基礎(chǔ),我們使用聚合物材料制備體異質(zhì)結(jié)太陽能電池的有源層:將給體材料P3HT(Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl),聚3己基噻吩)與受體材料PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric?acid?methyl?ester,富勒烯衍生物)按照1:0.8~1的質(zhì)量比進(jìn)行混合,然后加入有機(jī)溶劑(二氯苯、氯苯、甲苯等)中,磁力攪拌72~90小時,配置成均勻的濃度為10~20mg/mL的混合溶液;然后將混合溶液旋涂在具有半透明底電極的石英玻璃上,旋涂速度為500~1500rpm,得到50~100nm厚的有源層薄膜;最后對有源層薄膜進(jìn)行退火,退火溫度為140℃~160℃,退火時間為0.3~0.5小時;
3.最后通過真空蒸發(fā)的方法在有源層薄膜上制備頂電極:在多源有機(jī)氣相分子沉積系統(tǒng)中,在有源層薄膜上蒸鍍厚度為0.8~1.2nm的LiF,在LiF上再蒸鍍厚度為80~120nm的Al,構(gòu)成LiF/Al復(fù)合頂電極,從而制備完成本發(fā)明所述的一種基于微腔結(jié)構(gòu)(ITO-Free)的聚合物太陽能電池。
本發(fā)明所制備得到的WO3薄膜非常均勻致密,與玻璃表面接觸良好,可以減少太陽能電池的串聯(lián)電阻。WO3是一種有機(jī)P型半導(dǎo)體材料,可以有效地傳導(dǎo)激子(光照下有源層中產(chǎn)生)分離后的空穴。ITO-Free有微腔結(jié)構(gòu)器件和ITO無微腔結(jié)構(gòu)器件的短路電流、開路電壓、填充因子和能量轉(zhuǎn)換效率的比較詳見表1。
表1:ITO-Free有微腔結(jié)構(gòu)的器件與ITO無微腔結(jié)構(gòu)的器件在100mW/cm2和AM(大氣質(zhì)量)為1.5G的環(huán)境下的特征參數(shù)比較:
從表1中可以看出,當(dāng)有源層的厚度為70nm時,對于ITO非微腔器件,短路電流密度為4.62mA/cm2,開路電壓為0.59V,填充因子為57.7%,能量轉(zhuǎn)化效率為1.57%;對于ITO-free微腔器件,短路電流密度為5.85mA/cm2,開路電壓為0.59V,填充因子為57.9%,能量轉(zhuǎn)化效率為2.0%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于吉林大學(xué);無錫海達(dá)安全玻璃有限公司,未經(jīng)吉林大學(xué);無錫海達(dá)安全玻璃有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210319235.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





