[發明專利]利用選擇區域外延技術制作分布反饋激光器陣列的方法有效
| 申請號： | 201210319231.X | 申請日： | 2012-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN102820616A | 公開（公告）日： | 2012-12-12 |
| 發明（設計）人： | 梁松;張燦;朱洪亮;王圩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/40 | 分類號： | H01S5/40;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 選擇 區域 外延 技術 制作 分布 反饋 激光器 陣列 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用選擇區域外延技術制作分布反饋激光器陣列的方法，包括如下步驟：
步驟1：在襯底上外延生長下分別限制層及量子阱層；
步驟2：在量子阱層上制作選擇區域外延介質掩膜圖形；
步驟3：選擇區域外延生長上分別限制層，使不同的激光器單元具有不同厚度的上分別限制層；
步驟4：去掉介質掩膜圖形；
步驟5：在上分別限制層上大面積制作光柵；
步驟6：在光柵7上生長接觸層，完成激光器陣列的制備。
2.根據權利要求1所述的利用選擇區域外延技術制作分布反饋激光器陣列的方法，其中所述介質掩膜圖形以陣列單元間距為周期型成對出現，對應于不同陣列單元的介質掩膜對的間距或掩膜寬度漸變。
3.一種利用選擇區域外延技術制作分布反饋激光器陣列的方法，包括如下步驟：
步驟1：在襯底上制作選擇區域外延介質掩膜圖形；
步驟2：選擇區域外延生長下分別限制層，使不同的激光器單元具有不同厚度的下分別限制層；
步驟3：去掉介質掩膜圖形；
步驟4：在下分別限制層上外延生長量子阱層及上分別限制層；
步驟5：在上分別限制層上大面積制作光柵；
步驟6：在光柵7上生長接觸層，完成激光器陣列的制備。
4.根據權利要求3所述的利用選擇區域外延技術制作分布反饋激光器陣列的方法，其中所述介質掩膜圖形以陣列單元間距為周期型成對出現，對應于不同陣列單元的介質掩膜對的間距或掩膜寬度漸變。
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