[發明專利]一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片

有效

• 申請號: 201210318969.4
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103682003A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 左致遠;夏偉;陳康;蘇建;張秋霞
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/22;H01L33/30
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 呂利敏

1.一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，該LED芯片包括在所述LED芯片的上表面設置有側壁傾斜的窗口層，在所述窗口層的傾斜側壁與頂面上設置有利用濕法粗化法制備的錐狀粗化結構。

2.根據權利要求1所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述窗口層的側壁法向傾斜角度范圍：36°-75°，所述窗口層的厚度范圍：1～10μm。

3.根據權利要求1所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述窗口層材料為GaP、AlGaInP或AlGaAs。

4.根據權利要求1所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述窗口層為圓錐臺形或四棱錐臺形。

5.根據權利要求1所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述錐狀粗化結構包括多個緊密排列的單元錐體，所述單元錐體的底面直徑范圍：300nm～4μm，所述單元錐體的高度范圍：200nm～4μm。

6.根據權利要求1所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片為傳統結構的AlGaInP四元LED芯片，該芯片包括由下而上依次設置的n面電極，GaAs襯底，分散布拉格反射鏡，n-AlGaInP限制層，多量子阱有源發光區，p-AlGaInP限制層，帶有錐狀粗化結構的側壁傾斜GaP窗口層和p面電極。

7.根據權利要求6所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述窗口層的側壁法向傾斜角度為：75°，所述窗口層的厚度為：8μm；，所述單元錐體的底面直徑為：2μm，所述單元錐體的高度為：4μm。

8.根據權利要求1所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片為換襯底結構的AlGaInP四元LED芯片，該芯片包括由下而上依次設置的p面電極，襯底層，ODR反射鏡，限制層，多量子阱有源發光區，n-AlGaInP限制層，帶有錐狀粗化結構的AlGaInP傾斜側壁窗口層和n面電極。

9.根據權利要求8所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述襯底層為Si襯底、Ge襯底或金屬襯底。

10.根據權利要求8所述的一種濕法加工窗口層側壁傾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述限制層為GaP層、AlGaInP層或AlGaAs層；所述窗口層的側壁法向傾斜角度為：75°，所述窗口層的厚度為：3μm；，所述單元錐體的底面直徑為：1μm，所述單元錐體的高度為：2.5μm。