[發明專利]電力用半導體裝置

無效

• 申請號: 201210318616.4
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103325774A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 小野昇太郎;泉澤優;大田浩史;山下浩明
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L25/18;H01L23/48
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張麗

1.一種電力用半導體裝置，包括設置有電力用半導體元件的元件部、以及設置在所述元件部的周圍的終端部，該電力用半導體裝置的特征在于，具備：

第1導電型的半導體基板；

第2導電型的第1雜質層，設置在所述半導體基板的上表面中的所述元件部的一部分；

第1導電型的第2雜質層，設置在所述第1雜質層的上表面的一部分；

柵極電極，設置為經由柵極絕緣膜相接到所述第1雜質層；

第1電極，設置于所述半導體基板的下表面；

第2電極，設置在所述半導體基板的所述上表面上，使得至少相接于所述第1雜質層；

多個第2導電型的柱層，設置在所述第2電極之下以及從所述第2電極露出的所述終端部的所述半導體基板中的、相互平行排列的多個板狀的區域內，該多個板狀的區域分別具有從所述半導體基板的上表面露出的帶狀的上端面或者與所述第1雜質層的下表面相接的帶狀的上端面、連接于所述上端面的兩端面以及兩側面；

多個第1溝槽，分別設置于從所述第2電極露出的所述終端部的所述半導體基板中的、包含所述多個板狀的區域的所述兩端面的部分之間；以及

第1絕緣膜，設置在各個所述第1溝槽的側面以及底面。

2.根據權利要求1所述的電力用半導體裝置，其特征在于，還具備：

所述第1導電型的所述第3雜質層，以包圍所述多個板狀的區域的所述上端面的方式設置在所述半導體基板的上表面，濃度比所述半導體基板高；

EQPR電極，以連接于所述第3雜質層的方式設置在所述半導體基板的上表面；以及

第1浮置電極，設置于設置有所述第1絕緣膜的第1溝槽的內部，并與所述EQPR電極電連接。

3.根據權利要求2所述的電力用半導體裝置，其特征在于，

所述EQPR電極以及所述第1浮置電極分別由多晶硅構成。

4.根據權利要求3所述的電力用半導體裝置，其特征在于，

所述EQPR電極是大致四角形狀的環狀的多晶硅，

所述第1浮置電極是設置為分別與所述環狀的多晶硅的相對置的兩邊中的某一個相接的多晶硅。

5.根據權利要求2所述的電力用半導體裝置，其特征在于，還具備：

場板電極，該場板電極設置在所述半導體基板的所述上表面上中的所述第2電極與所述EQPR電極之間，并連接于所述柵極電極。

6.根據權利要求5所述的電力用半導體裝置，其特征在于，

所述EQPR電極以及所述場板電極設置于在所述半導體基板的所述上表面上設置的場氧化膜上。

7.根據權利要求1所述的電力用半導體裝置，其特征在于，還具備：

第2溝槽，沿著所述板狀的區域的側面設置于從所述第2電極露出的所述終端部的所述半導體基板；以及

第2絕緣膜，設置在所述第2溝槽的側面以及底面。

8.根據權利要求7所述的電力用半導體裝置，其特征在于，

所述第2溝槽設置在比最外側的所述板狀的區域更外側的所述半導體基板。

9.根據權利要求8所述的電力用半導體裝置，其特征在于，還具備：

所述第1導電型的所述第3雜質層，以包圍所述多個板狀的區域的所述上端面的方式設置于所述半導體基板的上表面，濃度比所述半導體基板高；

EQPR電極，設置成連接于所述第3雜質層；

第1浮置電極，設置于設置有所述第1絕緣膜的第1溝槽的內部，并與所述EQPR電極電連接；以及

第2浮置電極，設置于設置有所述第2絕緣膜的第2溝槽的內部，并與所述EQPR電極電連接。

10.根據權利要求9所述的電力用半導體裝置，其特征在于，

所述EQPR電極、所述第1浮置電極以及所述第2浮置電極分別由多晶硅構成。

11.根據權利要求10所述的電力用半導體裝置，其特征在于，

所述EQPR電極是大致四角形狀的環狀的多晶硅，

所述第1浮置電極是設置為分別與所述環狀的多晶硅的相對置的兩邊中的某一個相接的多晶硅，

所述第2浮置電極是設置為與所述環狀的多晶硅的相對置的兩邊的雙方相接的多晶硅。