[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210318437.0
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN102820392A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王明軍;魏世禎;胡加輝
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底層、依次覆蓋在所述襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱層和P型層；所述多量子阱層包括若干個(gè)量子壘層和若干個(gè)與各所述量子壘層相互交替生長的量子阱層，其特征在于，每個(gè)所述量子壘層為超晶格結(jié)構(gòu)；所述超晶格結(jié)構(gòu)由不摻雜的GaN層和n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN層交替層疊而成，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。

2.如權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，0.05≤x≤0.3，0≤y≤0.2。

3.如權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型層由n型摻雜的GaN制成，所述n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN層的n型摻雜的濃度不高于所述N型層的n型摻雜的濃度。

4.如權(quán)利要求3所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜為Si摻雜，所述n型摻雜的濃度不高于1×10¹⁸/cm³。

5.如權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子壘層的厚度不大于20nm。

6.如權(quán)利要求5所述的外延片，其特征在于，所述不摻雜的GaN層的厚度不大于5nm，所述n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN層的厚度不大于10nm。

7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，各所述n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN層的所述n型摻雜的濃度不同。

8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，各所述n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN層的組分含量不同。

9.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，各所述量子壘層的厚度不同。

10.一種發(fā)光二極管的外延片的制造方法，所述方法包括：提供襯底并在所述襯底上依次生長緩沖層、N型層、多量子阱層、以及P型層，所述多量子阱層包括若干個(gè)量子壘層和若干個(gè)與各所述量子壘層相互交替生長的量子阱層，其特征在于，生長每個(gè)所述量子壘層包括：交替層疊生長不摻雜的GaN層和n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN層，每個(gè)所述量子壘至少包括四層，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。