[發明專利]一種引線框架的寶塔式IC芯片堆疊封裝件及其生產方法

在審

• 申請號: 201210317795.X
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN104091791A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 李習周;慕蔚;朱文輝;張易勒;郭小偉
• 申請（專利權）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 李琪

1.一種引線框架的寶塔式IC芯片堆疊封裝件，包括引線框架載體（1）內引腳（7）和外引腳（15），引線框架載體（1）上封裝有塑封體（14），其特征在于，引線框架載體（1）上、從下往上粘貼有外形尺寸依次減小的至少三層IC芯片，相鄰兩層IC芯片之間壓焊有鍵合線，每層IC芯片與內引腳（7）之間也壓焊有鍵合線。

2.如權利要求1所述的引線框架的寶塔式IC芯片堆疊封裝件，其特征在于，所述最上層鍵合線的弧高為110μm～130μm，其余每層鍵合線的弧高為90μm～110μm。

3.如權利要求1所述的引線框架的寶塔式IC芯片堆疊封裝件，其特征在于，所述引線框架載體（1）的底面位于塑封體（14）內或者引線框架載體（1）的底面露出塑封體（14）外。

4.一種權利要求1所述引線框架的寶塔式IC芯片堆疊封裝件的生產方法，其特征在于，該方法具體按以下步驟進行：

a.晶圓減薄

粗磨范圍從原始晶圓片厚度到最終晶圓厚度+65μm+膠膜厚度，粗磨時： 3層堆疊封裝所用晶圓的粗磨速度70～120μm/min，3層以上堆疊封裝所用晶圓的粗磨速度50μm～100μm/min；細磨范圍從最終晶圓厚度+65μm+膠膜厚度到最終晶圓片厚度+膠膜厚度+15μm，細磨時：3層堆疊封裝所用晶圓的細磨速度13～16μm/min，3層以上堆疊封裝所用晶圓的細磨速度10μm～13μm/min；拋光范圍從最終晶圓厚度+膠膜厚度+15μm到最終晶圓厚度+膠膜厚度；3層堆疊封裝所用芯片最終厚度為100μm～120μm，4層～5層堆疊封裝所用芯片最終厚度為50μm～75μm，5層以上堆疊封裝所用芯片最終厚度為35μm～50μm；

b.劃片

對減薄后的晶圓劃片，劃片時應用防碎片技術，并控制進刀速度≤5～8mm/min，預防裂紋和碎片；

c.上芯、烘烤、壓焊

當下層IC芯片和上層IC芯片外形尺寸差小于1.2mm時，多層IC芯片分別上芯、烘烤和壓焊；即：上芯時，第一層IC芯片與引線框架載體之間采用導電膠或絕緣膠，相鄰兩層IC芯片之間使用絕緣膠或膠膜片；烘烤時所用的烘烤工藝和烘烤設備與普通同封裝形式上芯后的烘烤工藝和烘烤設備相同，但采用絕緣膠作為粘貼材料時，烘烤溫度是175℃；采用膠膜片作為粘貼材料時，烤溫度是150℃；每粘貼一層IC芯片并烘烤后，均需壓焊該層IC芯片與內引腳之間的鍵合線和與該層IC芯片相鄰的下層IC芯片之間的鍵合線；

當下層IC芯片和上層IC芯片尺寸差大于或等于1.2 mm時，多層IC芯片分別上芯后，一次烘烤和壓焊；上芯時，第一層IC芯片與引線框架載體之間采用導電膠或絕緣膠，相鄰兩層IC芯片之間使用絕緣膠或膠膜片；烘烤時所用的烘烤工藝和烘烤設備與普通同封裝形式上芯后的烘烤工藝和烘烤設備相同，但采用絕緣膠作為粘貼材料時，烘烤溫度是175℃；采用膠膜片作為粘貼材料時，烤溫度是150℃；烘烤后，先從上往下依次壓焊相鄰兩層最IC芯片之間的鍵合線，然后從下往上依次壓焊IC芯片與內引腳之間的鍵合線；

壓焊后，最上層鍵合線的弧高為110μm～130μm，其余每層鍵合線的弧高為90μm～110μm；

d. 塑封及后固化

采用膨脹系數a1＜1、吸水率＜0.25%的環保型材料，應用多段注塑模型軟件和防翹曲模型軟件進行塑封，采用普通引線框架單芯片封裝的后固化設備和工藝進行后固化；

e.切中筋、電鍍、打印、成形分離、測試、檢測、包裝、入庫

采用與本封裝形式同引腳封裝件相同的設備和工藝切中筋、電鍍、打印、成形分離、測試、檢測、包裝、入庫，制得引線框架的寶塔式IC芯片堆疊封裝件。