[發明專利]發光二極管晶粒的制造方法

無效

• 申請號: 201210317692.3
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103682020A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 林雅雯;黃世晟;凃博閔
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管晶粒的制造方法，包括步驟：

提供一預成型的發光二極管結構，其包括第一基板、及依次形成于基板上的成核層、緩沖層、N型層、量子阱層、P型層；

在該P型層表面形成至少一絕緣塊；

在該P型層表面形成一反射層并覆蓋所述絕緣塊；

在該反射層表面形成一第二基板，所述第二基板為導電基板；

移除第一基板，使所述成核層下表面外露；及

在成核層外露的表面對應絕緣塊的區域設置N電極。

2.如權利要求1所述的發光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，在形成至少一絕緣塊的步驟中，先在P型層表面形成一絕緣層，然后蝕刻所述絕緣層形成絕緣塊。

3.如權利要求1所述的發光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，在形成至少一絕緣塊的步驟中，先對P型層表面蝕刻形成凹槽，然后在P型層表面形成絕緣層，進而去除部分絕緣層，并保留凹槽內的絕緣層部分形成所述絕緣塊。

4.如權利要求3所述的發光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，所述凹槽中的絕緣塊上表面與未被蝕刻的P型層上表面相齊平。

5.如權利要求4所述的發光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，采用化學機械拋光處理去除部分絕緣層而形成所述絕緣塊。

6.如權利要求1所述的發光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，所述反射層表面為光滑的平面，所述第二基板通過電鍍或固晶的方式形成在反射層的表面上。

7.如權利要求1所述的發光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，所述絕緣層由二氧化硅、氮化鋁、氮硅化合物等材料制成。

8.一種發光二極管晶粒的制造方法，包括步驟：

提供一預成型的發光二極管結構，其包括第一基板、及依次形成于基板上的成核層、緩沖層、N型層、量子阱層、P型層；

在該P型層表面形成若干絕緣塊；

在該P型層表面形成一反射層并覆蓋所述絕緣塊；

在該反射層表面形成一第二基板，所述第二基板為導電基板；

移除第一基板，使所述成核層下表面外露；及

在成核層外露的表面設置與絕緣塊數量相同的若干N電極，所述N電極與所述絕緣塊一一對齊設置。

9.如權利要求8所述的發光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，在形成若干絕緣塊的步驟中，先在P型層表面形成一絕緣層，然后蝕刻所述絕緣層形成所述絕緣塊。

10.如權利要求8所述的發光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，在形成若干絕緣塊的步驟中，先對P型層表面蝕刻形成若干凹槽，然后在P型層表面形成絕緣層，進而去除部分絕緣層，并保留凹槽內的絕緣層部分形成所述絕緣塊。