[發明專利]一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝

無效

• 申請號: 201210316900.8
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN103668438A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 薛東;李德建;陳昌林;陳銳;陳劍春;付雁清;李福龍
• 申請（專利權）人: 上海杰姆斯電子材料有限公司
• 主分類號: C30B15/10
• 分類號: C30B15/10;C30B29/06
• 代理公司: 北京元中知識產權代理有限責任公司 11223
• 代理人: 王明霞

1.一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，包括由底部與側壁組成的石墨坩堝本體，其特征在于：所述的石墨坩堝本體側壁外表面均勻分布有內凹的螺紋狀氣體導流槽，螺紋狀氣體導流槽與水平面之間具有20°～70°的傾斜夾角。

2.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，其特征在于：所述的螺紋狀氣體導流槽間隔為2～10mm，螺紋狀氣體導流槽寬度為2～10mm，深度小于10mm。

3.根據權利要求1或2所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，其特征在于：所述的螺紋狀氣體導流槽與水平面之間的傾斜夾角為35°～55°。

4.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，其特征在于：所述的螺紋狀氣體導流槽旋轉方向為左旋或右旋。

5.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，其特征在于：所述的石墨坩堝本體包括限定內部容積的內底面、內側面以及限定傳熱面積的外底面、外側面，其中，內側面與石墨坩堝的中心軸平行，內底面呈球弧狀，弧度半徑為R1，內底面與內側面之間為球弧形連接，弧度半徑為R2，所述的R1大于或等于R2。

6.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，其特征在于：所述的石墨坩堝本體側壁由至少兩塊相同的側壁部件組成；石墨坩堝本體底部為一獨立的個體結構，或者由與側壁部件數量相同的底部部件組成，每個底部部件對應與每個側壁部件為一體。

7.根據權利要求6所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，其特征在于：所述的石墨坩堝本體側壁包括三塊或四塊相同的側壁部件。

8.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，其特征在于：所述的石墨坩堝本體底部厚度與側壁厚度的比值范圍為1：3～3：1。

9.根據權利要求8所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的石墨坩堝，其特征在于：所述的石墨坩堝本體底部厚度與側壁厚度的比值范圍為1：2～2：1。