[發(fā)明專利]制造薄膜晶體管的方法和制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210316873.4
• 申請(qǐng)日: 2012-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN103021820A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔熙東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L21/336;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種制造薄膜晶體管的方法，所述方法包括：

在基板上形成半導(dǎo)體圖案；

在包括所述半導(dǎo)體圖案的所述基板上形成第一絕緣膜、傳導(dǎo)膜和金屬膜；

在所述金屬膜上形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案具有比所述半導(dǎo)體圖案的寬度更窄的寬度；

通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬膜和所述傳導(dǎo)膜來形成第一金屬圖案和傳導(dǎo)圖案；

通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模進(jìn)行第一離子注入工序在所述半導(dǎo)體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；

通過灰化工序從所述第一光刻膠圖案形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度；

通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬圖案來形成第二金屬圖案，其中所述第二金屬圖案具有比所述第二光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，并且所述第二金屬圖案和所述傳導(dǎo)圖案形成柵極；

進(jìn)行包括去除所述第二光刻膠圖案、在所述半導(dǎo)體圖案中形成輕摻雜漏LDD區(qū)域以及在所述半導(dǎo)體圖案中形成柵交疊輕摻雜漏GOLDD區(qū)域的處理；

在包括所述柵極的所述基板上形成第二絕緣膜；以及

在所述第二絕緣膜上形成分別電連接到所述源區(qū)域和漏區(qū)域的源極和漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，進(jìn)行的處理首先通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導(dǎo)體圖案中形成所述LDD區(qū)域，接著去除所述第二光刻膠圖案，接著通過使用所述第二金屬圖案作為掩模的第三離子注入工序在所述半導(dǎo)體圖案中形成所述GOLDD區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬圖案和所述傳導(dǎo)圖案被過度蝕刻從而具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述源區(qū)域和所述漏區(qū)域在所述半導(dǎo)體圖案的被所述第一光刻膠圖案露出的相對(duì)側(cè)部分形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述LDD區(qū)域分別形成在所述半導(dǎo)體圖案的所述第二光刻膠圖案與所述源區(qū)域之間以及所述第二光刻膠圖案與所述漏區(qū)域之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述GOLDD區(qū)域分別形成在所述半導(dǎo)體圖案中、位于所述第二金屬圖案與所述LDD區(qū)域之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，進(jìn)行的處理首先去除所述第二光刻膠圖案，接著通過使用所述第二金屬圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導(dǎo)體圖案中形成所述LDD區(qū)域和所述GOLDD區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述GOLDD區(qū)域分別形成在所述半導(dǎo)體圖案中、位于所述第二金屬圖案與所述源區(qū)域和漏區(qū)域之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，用所述傳導(dǎo)圖案調(diào)整所述LDD區(qū)域和所述GOLDD區(qū)域之間的離子密度差。

10.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括：

在基板上形成半導(dǎo)體圖案；

在包括所述半導(dǎo)體圖案的所述基板上形成第一絕緣膜、傳導(dǎo)膜和金屬膜；

在所述金屬膜上形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案具有比所述半導(dǎo)體圖案的寬度更窄的寬度；

通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬膜和所述傳導(dǎo)膜來形成第一金屬圖案和傳導(dǎo)圖案；

通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模進(jìn)行第一離子注入工序在所述半導(dǎo)體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；

通過灰化工序從所述第一光刻膠圖案形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度；

通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬圖案來形成第二金屬圖案，其中所述第二金屬圖案具有比所述第二光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，并且所述第二金屬圖案和所述傳導(dǎo)圖案形成柵極；

進(jìn)行包括去除所述第二光刻膠圖案、在所述半導(dǎo)體圖案中形成輕摻雜漏LDD區(qū)域以及在所述半導(dǎo)體圖案中形成柵交疊輕摻雜漏GOLDD區(qū)域的處理；

在所述基板的整個(gè)表面上形成第二絕緣膜；

在所述第二絕緣膜上形成分別電連接到所述源區(qū)域和漏區(qū)域的源極和漏極；

形成電連接到所述漏極的第一電極；

形成具有露出所述第一電極的開口的堤層；以及

在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層和第二電極。