[發(fā)明專利]發(fā)光二極管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210316440.9 | 申請日: | 2012-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN103681723A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 段忠;鄭兆禎;施逸豐 | 申請(專利權(quán))人: | 旭明光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 | ||
1.一種發(fā)光二極管,其特征在于,包括:
一第一發(fā)光二極管晶粒以及一第二發(fā)光二極管晶粒,其分別具有一第一半導(dǎo)體層、一第二半導(dǎo)體層以及設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層以及該第二半導(dǎo)體之間的一多重量子井層;以及
其中,該第一發(fā)光二極管晶粒的第一半導(dǎo)體層與該第二發(fā)光二極管晶粒的第二半導(dǎo)體層相耦接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該第一發(fā)光二極管晶粒與該第二發(fā)光二極管晶粒之間形成有一第一絕緣部,該第一絕緣部開設(shè)有一通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管,其特征在于:還包括有一電極結(jié)構(gòu),該電極結(jié)構(gòu)經(jīng)由該通孔與該第一發(fā)光二極管晶粒的第一半導(dǎo)體層以及該第二發(fā)光二極管晶粒的第二半導(dǎo)體層連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該電極結(jié)構(gòu)還包括有一第一電極部以及一第二電極部,該第一電極部形成于該第一發(fā)光二極管晶粒的第一半導(dǎo)體層上,該第二電極部連接該第二發(fā)光二極管晶粒的第二半導(dǎo)體層且經(jīng)由該通孔與該第一電極部連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管,其特征在于:第一發(fā)光二極管晶粒的第二半導(dǎo)體層還連接有一第三電極部,該第三電極部憑借一第二絕緣部與該第二電極部相絕緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該第三電極部還連接有一金屬合金部。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該通孔的寬度小于1000μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





