[發明專利]一種FS-IGBT器件的制備方法無效
| 申請號： | 201210315975.4 | 申請日： | 2012-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN102800591A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 李澤宏;楊文韜;單亞東;夏小軍;李長安;張蒙;張金平;任敏;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 溫利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 fs igbt 器件 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種FS-IGBT器件的制備方法，包括以下步驟：
步驟1：選取半導體襯底；
步驟2：去除半導體襯底表面氧化層并注入N型雜質并高溫推結形成場截止層；
步驟3：生長外延層；
步驟4：在外延層中制作IGBT器件所需的正面結構；
步驟5：半導體襯底背面減薄；
步驟6：半導體襯底背面注入P型雜質并高溫推結形成P型集電區；
步驟7：背部金屬化形成金屬化集電極。
2.根據權利要求1所述的一種FS-IGBT器件的制備方法，其特征在于，步驟2注入的N型雜質為磷、砷或其它帶有施主能級的雜質。
3.根據權利要求1所述的一種FS-IGBT器件的制備方法，其特征在于，步驟3外延層生長時需要根據制作器件的參數調整外延層的厚度與摻雜濃度。
4.根據權利要求1所述的一種FS-IGBT器件的制備方法，其特征在于，步驟4在外延層中制作IGBT器件所需的正面結構時，包括柵極結構，且柵極結構是平面柵結構、溝槽柵結構，或是以平面柵或溝槽柵為基礎含有埋層的柵極結構。
5.根據權利要求1所述的一種FS-IGBT器件的制備方法，其特征在于，步驟5背部襯底減薄厚度以及減薄后場截止層與背部P型集電區的間距可以根據設計需求變化。
6.根據權利要求1所述的一種FS-IGBT器件的制備方法，其特征在于，所述半導體襯底可采用硅、碳化硅、砷化鎵或者氮化鎵。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
