[發明專利]一種鎳熱敏薄膜電阻加工方法有效
| 申請號： | 201210315756.6 | 申請日： | 2012-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN102831998A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發明（設計）人： | 常洪龍;楊勇;謝中建;孫冀川;謝建兵;袁廣民 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | H01C7/02 | 分類號： | H01C7/02;H01C7/04 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 呂湘連 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 熱敏 薄膜 電阻 加工 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鎳熱敏薄膜電阻加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：清洗普通硅片，去除表面原生氧化層、有機物污染，然后干燥；
步驟2：以普通硅片作為基片，在硅片的拋光面生長底層SiO2膜或Si3N4膜；
步驟3：在SiO2膜或Si3N4膜表面上濺射鎳膜；
步驟4：在鎳膜表面上濺射銅膜；
步驟5：在銅膜表面上濺射金屬膜，所述金屬膜電阻率ρ1與鎳膜電阻率ρ2滿足：
步驟6：旋涂光刻膠，對金屬膜進行光刻、顯影，濕法腐蝕金屬膜，形成金屬錨點；
步驟7：繼續腐蝕銅膜，形成銅連接層，去除光刻膠；
步驟8：旋涂光刻膠，對鎳膜進行光刻、顯影，對鎳膜進行腐蝕，去除光刻膠，形成鎳絲熱敏電阻；劃片，得到以SiO2膜或Si3N4膜為隔熱層的鎳熱敏電阻。
2.一種如權利要求1所述的鎳熱敏薄膜電阻加工方法，其特征在于，所述步驟8劃片前對鎳絲熱敏電阻進行熱處理。
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