[發明專利]光偏振化結構及發光裝置

無效

• 申請號: 201210315725.0
• 申請日: 2007-12-12
• 公開（公告）號: CN102798924A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 王日富;趙嘉信;薛翰聰;賴俊峰;祁錦云;孫健仁;許榮宗
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;F21S8/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種光偏振化結構，包含：

基底，其具有一折射率；

多個具有第一寬度的第一條狀金屬層，形成于該基底上，且鄰近的該第一條狀金屬層間具有第一間距；

多個具有第二寬度的第二條狀金屬層，與該第一條狀金屬層平行且交錯地形成于該基底上，且鄰近的該第二條狀金屬層間具有第二間距，其中該第一寬度不等于該第二寬度，該第一條狀金屬層的第一寬度與第二條狀金屬層的第二寬度的和小于第一間距或第二間距，第一條狀金屬層與第二條狀金屬層之間具有一間隔，該第一條狀金屬層以第一周期排列于該基底上，而該第二條狀金屬層以第二周期排列于該基底上，且該第一周期大于該第二周期，以及

覆蓋層，分別設置于各該第一及第二條狀金屬層上方。

2.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該第一條狀金屬層與該第二條狀金屬層選自包含金、鋁、銀及其合金所組成的群組。

3.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該覆蓋層具有折射率大于該基底的折射率。

4.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該覆蓋層的折射率范圍介于1.33~1.85之間。

5.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該覆蓋層由透明材料形成。

6.如權利要求5所述的光偏振化結構，其中該覆蓋層由氧化鋁形成。

7.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該覆蓋層的厚度與該第一及第二條狀金屬層的厚度大體上相同。

8.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該基底的折射率介于1~1.78之間。

9.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該基底選自包含玻璃、氧化鉿、多晶結構的二氧化硅、氧化鋁、氧化鋅或塑膠所組成的群組。

10.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該第一寬度小于該第二寬度。

11.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該第一間距不等于該第二間距。

12.如權利要求11所述的光偏振化結構，其中該第一間距大于該第二間距。

13.如權利要求1所述的光偏振化結構，其中該第一間距及該第二間距皆小于325納米。

14.一種發光裝置，其可發射一偏振化光，包含：

具有一發光波段的發光元件；以及

光偏振化結構，設置于該發光元件上，且該光偏振化結構，包含：

多個第一條狀金屬層與多個第二條狀金屬層以及分別形成于該第一條狀金屬層與該第二條狀金屬層的上方的覆蓋層，多個第一條狀金屬層與多個第二條狀金屬層平行且交錯地設置于該發光元件上方，且鄰近的該第一條狀金屬層間具有第一間距，而鄰近的該第二條狀金屬層間具有第二間距，其中該第一間距不等于該第二間距，其中該第一條狀金屬層以第一周期排列于該發光元件上，而該第二條狀金屬層以第二周期排列于該發光元件上，且該第一周期不等于該第二周期，第一條狀金屬層與第二條狀金屬層之間具有一間隔。

15.如權利要求14所述的發光裝置，其中該發光元件所發射的光包含非偏振化光或部分偏振化光。

16.如權利要求14所述的發光裝置，其中該發光元件包含發光二極管、電射二極管或半導體光放大裝置。

17.如權利要求16所述的發光裝置，其中該發光元件包含有機發光二極管、高分子發光二極管或交流發光二極管。

18.如權利要求14所述的發光裝置，其中該發光元件的該發光波段范圍介于300~1300納米之間。

19.如權利要求14所述的發光裝置，其中該第一間距大于該第二間距。

20.如權利要求14所述的發光裝置，其中該第一間距及該第二間距皆小于或等于四分之一的該發光波段。

21.如權利要求14所述的發光裝置，其中各該第一條狀金屬層具有第一寬度，而各該第二條狀金屬層具有第二寬度，且該第一寬度不等于該第二寬度。

22.如權利要求21所述的發光裝置，其中各該第一條狀金屬層的該第一寬度與各該第二條狀金屬層的該第二寬度的和小于該第一間距或該第二間距。