[發明專利]一種GaN外延或襯底的制作方法無效
| 申請號： | 201210315724.6 | 申請日： | 2012-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN103682016A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 劉繼全;季偉;許升高 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 外延 襯底 制作方法 | ||
1.一種GaN外延的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）在硅襯底上生長緩沖層；
2）光刻膠涂布和曝光，在緩沖層上形成定義圖形；
3）以光刻膠為掩模，刻蝕緩沖層和硅襯底，使硅襯底內部形成多個孔洞；
4）去除光刻膠；
5）熱氧化硅襯底的孔洞內表面，使其被氧化硅覆蓋；
6）GaN外延生長。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1）中，所述緩沖層為AlN,Al2O3,GaN,AlAs，GaAs中的至少一種。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟1）中，所述緩沖層采用MOCVD或ALD方法生長，所述緩沖層的厚度為10-200nm。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2）中，所述在緩沖層上形成定義圖形為多個圓形區域，各個圓形區域的半徑為0.01-100微米，間距為0.1-100微米。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3）中，所述孔洞的表面為圓形，半徑為0.01-100微米，各孔洞的間距為0.1-100微米，孔洞的深度為0.1-10微米。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟3）中，所述孔洞的表面為圓形，半徑為3微米，各孔洞的間距為5微米，孔洞的深度為5微米。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5）中，所述熱氧化的溫度為500-1200℃，壓力為0.01-760Torr；所述氧化硅的厚度為10-500nm。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟6）中，GaN只在緩沖層上生長，在硅襯底孔洞內表面因有氧化硅覆蓋，不生長GaN。
9.如權利要求1或8所述的方法，其特征在于，步驟6）中，所述GaN外延生長采用MOCVD的方法，在700-1300℃下，以H2為載氣通入三甲基鎵和NH3，形成10nm-500μm厚度的GaN。
10.一種GaN襯底的制作方法，其特征在于，包括權利要求1所述的步驟1）-步驟6），且在步驟6）之后增加如下步驟：采用濕法刻蝕或背面減薄的方法去除硅襯底，以形成GaN襯底。
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