[發明專利]改善嵌入式非易失性存儲器集成電路溫度特性的方法在審
| 申請號： | 201210315713.8 | 申請日： | 2012-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN103680623A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 劉俊 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 孫大為 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 嵌入式 非易失性存儲器 集成電路 溫度 特性 方法 | ||
1.一種改善嵌入式非易失性存儲器集成電路溫度特性的方法；其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、在非易失性存儲器電路內的特定地址中事先寫入若干組代碼，而每一組代碼對應某個溫度范圍內的內部電路參數設置；
步驟二、通過溫度傳感電路，在不同的溫度范圍內，分別調用各自的內部電路參數設置。
2.根據權利要求1所述的改善嵌入式非易失性存儲器集成電路溫度特性的方法，其特征是，所述非易失性存儲器電路內有特定地址專門用于存放內部電路設置參數。
3.根據權利要求1所述的改善嵌入式非易失性存儲器集成電路溫度特性的方法，其特征是，所述事先寫入的若干組代碼，在芯片被正式使用前這些若干組代碼已經被寫入。
4.根據權利要求1所述的改善嵌入式非易失性存儲器集成電路溫度特性的方法，其特征是，所述事先寫入的若干組代碼，其每一組代碼對應某個溫度范圍內的內部電路參數設置。
5.根據權利要求1所述的改善嵌入式非易失性存儲器集成電路溫度特性的方法，其特征是，內部電路參數設置代碼組所對應的內部電路參數設置，可以是溫度高時內部工作電壓降低，時鐘電流減小；和/或溫度低時內部工作電壓升高，時鐘電流增大。
6.根據權利要求1所述的改善嵌入式非易失性存儲器集成電路溫度特性的方法，其特征是，所述溫度傳感電路輸出的結果被用于調用相對應的內部電路參數設置代碼組。
7.根據權利要求1所述的改善嵌入式非易失性存儲器集成電路溫度特性的方法，其特征是，相對應的內部電路參數設置代碼組被調用后，會改變相應的內部電路參數。
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