[發(fā)明專利]具有改進(jìn)的硅化物厚度均勻性的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管集成電路和其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210315689.8
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN102969277A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·菲茲;S·威德曼;S·弗萊克豪斯基;P·巴爾斯;R·吉爾蒂格凱特
• 申請（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/283;H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種在具有主動(dòng)區(qū)和開放區(qū)的硅基板上制造集成電路器件的方法，包括：

在所述開放區(qū)和所述主動(dòng)區(qū)上方沉積金屬層；

轉(zhuǎn)移所述金屬層的至少一部分進(jìn)入到所述開放區(qū)和所述主動(dòng)區(qū)的個(gè)別表面內(nèi)以在所述主動(dòng)和所述開放區(qū)中產(chǎn)生硅化物層；

通過暴露所述基板于預(yù)定的升高溫度一段預(yù)定的時(shí)間來控制所述硅化物層的穿透深度于均勻的厚度，留下一些多余金屬在至少所述開放區(qū)的所述表面上；以及

從所述開放區(qū)的所述表面移除所述多余金屬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積金屬層包括沉積鎳層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

在沉積所述金屬層前圖案化在所述主動(dòng)區(qū)中的微電子結(jié)構(gòu)；以及

其中沉積所述金屬層包括沉積所述金屬層于所述微電子結(jié)構(gòu)的頂表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述微電子結(jié)構(gòu)的至少一者包括柵極電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中轉(zhuǎn)移包括在所述主動(dòng)和所述開放區(qū)域中產(chǎn)生均質(zhì)的硅化鎳層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中圖案化微電子結(jié)構(gòu)包括圖案化大高寬比結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積所述金屬層包括沉積厚度范圍約200A的鎳層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積所述金屬層包括通過化學(xué)氣相沉積來沉積鎳。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積所述金屬層包括通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積鎳。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中沉積所述金屬層包括通過物理氣相沉積來沉積鎳。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述硅基板包括SiGe。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中轉(zhuǎn)移包括所述鎳進(jìn)入到所述SiGe的熱遷移。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述熱遷移過程包括快速熱退火。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述快速熱退火包括在約攝氏240到320度的溫度范圍退火所述基板約30秒。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述快速熱退火步驟包括在約攝氏300度的溫度退火所述半導(dǎo)體基板。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中：

沉積所述金屬層包括沉積厚度范圍約200A的鎳層；以及

控制包括控制所述硅化鎳層的穿透深度于范圍約100A的厚度。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中控制包括橫跨所述主動(dòng)和所述開放區(qū)域產(chǎn)生范圍約100nm的均勻厚度的連續(xù)均質(zhì)硅化鎳層，所述硅化鎳層實(shí)質(zhì)上無點(diǎn)狀NiSi型的孔。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中移除包括從所述開放區(qū)移除未反應(yīng)的鎳。

19.一種在具有主動(dòng)區(qū)和開放區(qū)的硅基板上制造集成電路器件的方法，包括：

在所述主動(dòng)區(qū)上圖案化微電子結(jié)構(gòu)；

在所述主動(dòng)和所述開放區(qū)上沉積厚度約200A的鎳原子層；

遷移所述鎳原子進(jìn)入到所述開放區(qū)和所述主動(dòng)區(qū)的個(gè)別表面內(nèi)以產(chǎn)生硅化鎳層；

通過在約300℃退火所述基板約30秒來控制所述硅化鎳層的穿透深度于約100A的均勻厚度；

留下一些未反應(yīng)的鎳原子在所述開放區(qū)的所述表面上；以及

從所述開放區(qū)的所述表面移除所述未反應(yīng)的鎳原子。

20.一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件，包括：

具有主動(dòng)區(qū)和開放區(qū)的硅鍺半導(dǎo)體基板；

具有界定在所述主動(dòng)區(qū)上已圖案化的隔離區(qū)的側(cè)壁的多個(gè)柵極電極；以及

延伸到包含所述隔離區(qū)的所述主動(dòng)和所述開放區(qū)中于范圍約100A的均勻穿透深度的硅化鎳層；

其中所述硅化物層是實(shí)質(zhì)上均質(zhì)且實(shí)質(zhì)上無點(diǎn)狀NiSi型的孔。