[發(fā)明專利]一種載流子儲(chǔ)存槽柵雙極型晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210315629.6
• 申請(qǐng)日: 2012-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102800691A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳萬(wàn)軍;齊躍;汪志剛;張波;李澤宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/10
• 分類號(hào): H01L29/10;H01L29/739
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 溫利平

1.一種載流子儲(chǔ)存槽柵雙極型晶體管，包括集電極結(jié)構(gòu)、漂移區(qū)結(jié)構(gòu)、發(fā)射極結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)；所述集電極結(jié)構(gòu)包括P+集電區(qū)（10）和P+集電區(qū)（10）背面的金屬化集電極（11）；所述漂移區(qū)結(jié)構(gòu)包括位于P+集電區(qū)（10）正面的N-層（1）；所述柵極結(jié)構(gòu)為溝槽柵結(jié)構(gòu)，位于N-層（1）頂層兩側(cè)，由溝槽型多晶硅柵、溝槽型多晶硅柵表面的金屬化柵極（4）和溝槽型多晶硅柵側(cè)面及底面的柵氧化層（3）構(gòu)成；所述發(fā)射極結(jié)構(gòu)包括P型基區(qū)（2）、位于P型基區(qū)（2）頂部?jī)蓚?cè)的N+發(fā)射區(qū)（5）、位于P型基區(qū)（2）頂部中間的P+接觸區(qū)、與N+發(fā)射區(qū)（5）和P+接觸區(qū)表面接觸的金屬化發(fā)射極（6），以及位于P型基區(qū)（2）和N-層（1）之間的N+載流子存儲(chǔ)層（7）；所述柵極結(jié)構(gòu)中的柵氧化層（3）側(cè)面分別與N+發(fā)射區(qū)（5）、P型基區(qū)（2）和N+載流子存儲(chǔ)層（7）接觸，所述柵極結(jié)構(gòu)中的柵氧化層（3）底面與N-層（1）接觸；其特征在于，所述N+載流子存儲(chǔ)層（7）中還具有若干個(gè)均勻分布的P+條（8）；所述P+條（8）的頂面與P型基區(qū)（2）接觸、底面與N-層（1）接觸,且其長(zhǎng)度方向平行于整個(gè)器件的寬度方向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載流子儲(chǔ)存槽柵雙極型晶體管，其特征在于，所述P+條（8）由離子注入及高溫推結(jié)工藝形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載流子儲(chǔ)存槽柵雙極型晶體管，其特征在于，所述P+條（8）的數(shù)目、摻雜濃度、長(zhǎng)寬尺寸以及相鄰兩條P+條（8）之間的間距可根據(jù)對(duì)電場(chǎng)調(diào)制的要求進(jìn)行優(yōu)化取值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載流子儲(chǔ)存槽柵雙極型晶體管，其特征在于，所述漂移區(qū)結(jié)構(gòu)為PT型或FS型漂移區(qū)結(jié)構(gòu)，即在漂移區(qū)結(jié)構(gòu)的N-層（1）和集電極結(jié)構(gòu)的P+集電區(qū)（10）之間還具有一層N+緩沖層（9）。