[發(fā)明專利]高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210314982.2
• 申請(qǐng)日: 2012-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN102827411A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王晶;喬治;蔡峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢芯寶科技有限公司
• 主分類號(hào): C08L23/06
• 分類號(hào): C08L23/06;C08K9/04;C08K3/04;H01C7/10
• 代理公司: 武漢開元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42104
• 代理人: 劉志菊

1.高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜，組分及重量配比為：高分子基體材料100份，納米導(dǎo)電填料3～14份，所述納米導(dǎo)電填充料為經(jīng)過表面改性的石墨烯納米片或石墨烯粉末；所述高分子聚合物基體材料為茂金屬線性聚乙烯與低密度聚乙烯的混合材料或茂金屬線性聚乙烯與同聚乙烯物理性質(zhì)相近的其它聚合物材料或彈性體、橡膠中的一種或兩種以上的混合物混合組成材料；其中茂金屬線性聚乙烯占高分子聚合物基體材料重量的50%～70%。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜，其特征在于：所述高分子聚合物基體材料為茂金屬線性聚乙烯與低密度聚乙烯的混合材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜，其特征在于：納米導(dǎo)電填料為納米石墨烯經(jīng)帶反應(yīng)基團(tuán)的聚氨酯或環(huán)氧樹酯表面改性劑進(jìn)行錨固聚合變性的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜，其特征在于：所述納米石墨烯包括粒徑為0.5～20?um、厚度為5～20nm的石墨烯納米片和粒徑為0.8～1.2?nm的石墨烯粉。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的所述的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜，其特征在于：所述的茂金屬線性聚乙烯占高分子聚合物基體材料重量的55%～65%。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜，其特征在于：所述納米石墨烯與聚氨酯或環(huán)氧樹酯類表面改性劑的重量比例為納米石墨烯占99%～95%，加入的帶反應(yīng)基團(tuán)的聚氨酯和環(huán)氧樹酯占1%～5%。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜，其特征在于：所述高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜是由高分子聚合物基體材料與納米導(dǎo)電填料熔融共混，經(jīng)熱熔壓延和冷壓定型獲得厚度為50um～200um的軟薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜，其特征在于：所述的高分子基體材料100份，納米導(dǎo)電填料5.5～13份。

9.一種高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜的制作方法，步驟如下：

1）將所述高分子聚合物基體材料的茂金屬線性聚乙烯與低密度聚乙烯的混合材料或?qū)⒚饘倬€性聚乙烯與同聚乙烯物理性質(zhì)相近的其它聚合物材料或彈性體、橡膠中的一種或兩種以上的混合物按重量比混合，形成高分子基體材料；

2）將所述納米導(dǎo)電填料重量99%～95%的納米石墨烯加入高速攪拌機(jī)中，同時(shí)加入1%～5%帶反應(yīng)基團(tuán)的聚氨酯和環(huán)氧樹酯，對(duì)納米石墨烯進(jìn)行包覆錨固改性，制成納米導(dǎo)電填料；

3）將納米導(dǎo)電填料與高分子基體材料熔融共混，得到高分子納米復(fù)合電壓變阻材料，而后對(duì)該材料行熱熔壓延和冷壓定型，獲得高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜的制作方法，步驟3）中將高分子基體材料100份，納米復(fù)合導(dǎo)電填料3～14份加入到轉(zhuǎn)矩流變儀中，在160℃加工溫度和64rpm的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速下密煉10min，獲得高分子復(fù)合納米電壓變阻材料，再將該材料在15MPa的壓機(jī)上，以160℃的溫度預(yù)熱15min，然后熱壓10min,再冷壓5min，制成所需厚度的高分子復(fù)合納米電壓變阻軟薄膜。