[發(fā)明專利]倒裝發(fā)光二極管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210314573.2
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN102931313A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設計）人: 曾曉強;陳順平;潘群峰;黃少華
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.倒裝發(fā)光二極管，其包括：

基板，其上分布有P、N型焊盤電極；

發(fā)光外延層倒裝形成于所述基板上，其自上而下包括n型半導體層、有源層、p型半導體層，其中n型半導體層劃分為發(fā)光區(qū)、隔離區(qū)和電極區(qū)，其中發(fā)光區(qū)和電極區(qū)通過所述隔離區(qū)實現(xiàn)電性隔離；有源層和p型半導體層位于發(fā)光區(qū)下方，所述p型半導體層與p型焊盤電極連接，所述n型半導體層的電極區(qū)與N型焊盤電極連接；

導電連接部，位于所述n型半導體層上，連接所述n型半導體層的電極區(qū)和發(fā)光區(qū)，當接通外部電源時，實現(xiàn)電流垂直注入發(fā)光外延層。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：在n型半導體層中，所述隔離區(qū)形成于電極區(qū)的周圍，保證電極區(qū)與發(fā)光區(qū)實現(xiàn)電性上完全隔離。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：還包括一個電流擴展結(jié)構，其分布在所述發(fā)光區(qū)的n型半導體層內(nèi)。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述導電連接部為一透明導電層。

5.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：還包括一個電流擴展結(jié)構，其分布在透膽導電層內(nèi)。

6.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：還包括一鈍化層，其覆蓋在所述透明導電層上。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述n型半導體層的隔離區(qū)采用離子注入方式形成絕緣部，實現(xiàn)所述發(fā)光區(qū)和電極區(qū)的電性隔離。

8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述電極區(qū)的n型半導體層通過一鍵合金屬層與所述基板上的N型焊盤電極連接。

9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述電極區(qū)的n型半導體層下方對應的p型半導體層、發(fā)光層形成短路連接，用于連接電極區(qū)的n型半導體層與基板上的N型焊盤電極。

10.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光區(qū)的n型半導體層和電極區(qū)的n型半導體層為同一材質(zhì)外延層。

11.倒裝發(fā)光二極管的制作方法，包括步驟：

1）提供一生長襯底，在其上外延生長發(fā)光外延層，其至下而上至少包括n型半導體層、有源層和p型半導體層；

2）將n型半導體層劃分為發(fā)光區(qū)、隔離區(qū)和電極區(qū)，利用離子注入方式絕緣隔離區(qū)的n型半導體層，實現(xiàn)發(fā)光區(qū)和電極區(qū)的電性隔離；

3）在電極區(qū)的N型半導體層上制作N型鍵合接觸層，在P型半導體層上制作p型鍵合接觸層；

4）提供一基板，在其上制作P型焊盤電極、N型焊盤電極；

5）將上述發(fā)光外延層鍵合在所述基板上，其中N型鍵合金屬層與N型焊盤電極連接，P型鍵合金屬層與P型焊盤電極連接；

6）去除生長襯底，露出N型半導體層表面；

7）在N型半導體層表面上制作導電連接部，其連接所述n型半導體層的電極區(qū)和發(fā)光區(qū)，當接通外部電源時，實現(xiàn)電流垂直注入發(fā)光外延層。