[發明專利]耐高溫硅應變計傳感器芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201210314514.5
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN102818516A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 朱榮惠;郝曉卿
• 申請（專利權）人: 無錫永陽電子科技有限公司
• 主分類號: G01B7/16
• 分類號: G01B7/16;B81C1/00
• 代理公司: 宜興市天宇知識產權事務所(普通合伙) 32208
• 代理人: 蔡鳳苞

1.一種耐高溫硅應變計傳感器芯片，其特征在于：壓敏電阻及勢壘金屬沉積層制作在SOI材料上。

2.按照權利要求1所述的耐高溫硅應變計傳感器芯片，其特征在于：所述勢壘金屬沉積層由鎢通過化學氣相積淀制作而成。

3.一種耐高溫硅應變計傳感器芯片制作方法，其特征在于包括如下步驟：

A、在硅襯底表面氧化形成埋氧層，然后與晶圓高溫鍵合，硅襯底剝離并拋光制成單晶硅層，形成SOI材料；

B、在SOI材料的單晶硅層表面進行氧化、氮化硅低壓化學氣相積淀，生長出氮化硅及二氧化硅復合層；?

C、氮化硅及二氧化硅復合層表面涂滿光刻膠后軟烘干，進行一次光刻、腐蝕、離子注入、去除光刻膠；二次進行光刻、腐蝕、硼離子注入，去除光刻膠，清洗形成壓敏電阻；

D、未摻雜的低壓化學氣相沉積氧化物及硼磷硅玻璃在低溫下沉積、回流、強化形成兩層金屬中間介質層；光刻、腐蝕形成連接至壓敏電阻的接觸孔；由鎢通過化學氣相積淀制作勢壘金屬沉積層，然后金屬鋁通過濺射在勢壘金屬沉積層上形成綁定線用的焊盤；

E、整個芯片的表面通過氧/氮等離子體增強化學氣相沉積形成氧化物和氮化物，表面刻蝕后露出焊盤，然后整個芯片用氮氣/氫離子氣體退火后形成氧化物/氮化物鈍化層與鋁接觸；

F、將晶圓層的厚度減薄，并在芯片頂層覆蓋一層聚酰亞胺并烘烤硬化。