[發明專利]LED的基板重制方法無效
| 申請號： | 201210314108.9 | 申請日： | 2012-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN102969409A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 施佳賢;詹博筌 | 申請（專利權）人： | 榮易化學有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 劉俊 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣龍潭鄉*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 基板重制 方法 | ||
1.一種LED的基板重制方法，其特征在于，包含：
提供一基板，該基板上已成長有一磊晶層；
利用一電漿蝕刻技術去除形成于該基板上的該磊晶層；以及
對已去除磊晶層的基板表面進行一清洗處理。
2.如權利要求1所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該基板可以是一素基板或一圖案化基板。
3.如權利要求1所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該基板的材質為藍寶石、單晶硅及多晶硅的至少其中之一。
4.如權利要求1所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該薄膜層為一氮化鎵薄膜。
5.如權利要求1所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該電漿蝕刻技術為將該基板上的該磊晶層完全去除。
6.如權利要求5所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該電漿蝕刻技術為電感性耦合電漿蝕刻技術。
7.如權利要求1所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該電漿蝕刻技術包含將具有該磊晶層的該基板送進一電漿腔室中。
8.如權利要求7所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該電漿腔室的制程壓力控制于0.3Pa至1Pa之間。
9.如權利要求7所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該電漿腔室所使用的氣體包含有一氬氣、一氯氣及一三氯化硼。
10.如權利要求7所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該氬氣的流率介于0sccm至40sccm之間，該氯氣的流率介于0sccm至60sccm之間，該三氯化硼的流率介于0sccm至30sccm之間。
11.如權利要求7所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該電漿腔室的制程溫度介于-20～10℃之間。
12.如權利要求7所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該電漿腔室所接受的上電極射頻天線功率介于300～1800瓦特之間。
13.如權利要求7所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該電漿腔室所接受的下電極射頻偏壓功率介于300～900瓦特之間。
14.如權利要求1所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該清洗處理將已去除磊晶層的基板浸泡于一清洗臺維持一期間，該清洗臺具有一藥液，接著利用快排沖水清洗槽沖洗該基板的表面至少10～15分鐘。
15.如權利要求14所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該期間為5至20秒。
16.如權利要求14所述的LED的基板重制方法，其特征在于，該藥液可以是磷酸與鹽酸以1比1、2比1或1比2的方式調制而成，該清洗臺的溫度控制于200℃至280℃之間。
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