[發(fā)明專利]產生雜亂值的系統和產生雜亂值的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210313968.0
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN102902490A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設計）人: 呂文閔
• 申請（專利權）人: 鈺創(chuàng)科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

技術領域

本發(fā)明涉及一種產生雜亂值的系統和產生雜亂值的方法，尤其涉及一種利用雜亂引擎根據線性反饋位移暫存器所產生的第一雜亂值，產生低度相關的第二雜亂值的產生雜亂值的系統和產生雜亂值的方法。

背景技術

在現有技術中，產生雜亂值的系統是利用一線性反饋位移暫存器(linear?feedback?shift?register,LFSR)根據一起始值，產生多個雜亂值，例如0x23(0010_0011)、0x47(0100_0111)、0x8F(1000_1111)等。然后，一邏輯柵對上述多個雜亂值和來自一主機的數據執(zhí)行一邏輯運算，以產生并輸出對應主機的數據的雜亂數據至一儲存型快閃記憶體(NAND?flash)。

線性反饋位移暫存器是往左移位一雜亂值的位元，以產生下一雜亂值。例如，線性反饋位移暫存器是往左移位雜亂值0x23(0010_0011)的位元，以產生下一雜亂值0x47(0100_0111)。但值得注意的是，因為線性反饋位移暫存器是往左移位雜亂值0x23(0010_0011)的位元，以產生雜亂值0x47(0100_0111)，所以雜亂值0x23(0010_0011)與雜亂值0x47(0100_0111)之間具有7個相同位元，亦即雜亂值0x23(0010_0011)與雜亂值0x47(0100_0111)高度相關。因此，邏輯柵根據線性反饋位移暫存器產生的雜亂值而產生的相鄰雜亂數據亦會高度相關。如此，邏輯柵所產生的高度相關的相鄰雜亂數據可能無法滿足儲存型快閃記憶體的規(guī)范。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種產生雜亂值的系統和產生雜亂值的方法，能夠使所產生的低度相關的相鄰雜亂數據可滿足一儲存型快閃記憶體的規(guī)范。

本發(fā)明的一實施例提供一種產生雜亂值的系統。該系統包含一線性反饋位移暫存器和一雜亂引擎。該線性反饋位移暫存器(linear?feedback?shift?register,LFSR)是用以根據一起始值，產生多個第一雜亂值；該雜亂引擎是耦接于該線性反饋位移暫存器，用以利用該多個第一雜亂值中的每一第一雜亂值的至少一位元對該第一雜亂值的其他位元執(zhí)行一第一邏輯運算，以產生對應該第一雜亂值的一第二雜亂值，其中該第二雜亂值的位元數和該第一雜亂值的位元數相同。

本發(fā)明的另一實施例提供一種產生雜亂值的方法。該方法包含根據一起始值，產生多個第一雜亂值；利用該多個第一雜亂值中的每一第一雜亂值的至少一位元對該第一雜亂值的其他位元執(zhí)行一第一邏輯運算，以產生對應該第一雜亂值的一第二雜亂值，其中該第二雜亂值的位元數和該第一雜亂值的位元數相同。

本發(fā)明提供一種產生雜亂值的系統和產生雜亂值的方法。該系統和該方法是利用一雜亂引擎根據一線性反饋位移暫存器所產生的一第一雜亂值，產生一第二雜亂值，其中相鄰第二雜亂值是低度相關。因此，本發(fā)明通過一邏輯柵所產生的相鄰雜亂數據亦會低度相關。如此，相較于現有技術，本發(fā)明所產生的低度相關的相鄰雜亂數據可滿足一儲存型快閃記憶體的規(guī)范。

以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

附圖說明

圖1是為本發(fā)明的一實施例說明一種產生雜亂值的系統的示意圖；

圖2是為說明雜亂引擎的示意圖；

圖3是為本發(fā)明的另一實施例說明雜亂引擎的示意圖；

圖4是為本發(fā)明的另一實施例說明雜亂引擎的示意圖；

圖5是為本發(fā)明的另一實施例說明雜亂引擎的示意圖；

圖6是為本發(fā)明的另一實施例說明雜亂引擎的示意圖；

圖7是為本發(fā)明的另一實施例說明一種產生雜亂值的方法的流程圖；

圖8是為本發(fā)明的另一實施例說明一種產生雜亂值的方法的流程圖；

圖9是為本發(fā)明的另一實施例說明一種產生雜亂值的方法的流程圖；

圖10是為本發(fā)明的另一實施例說明一種產生雜亂值的方法的流程圖；

圖11是為本發(fā)明的另一實施例說明一種產生雜亂值的方法的流程圖。

其中，附圖標記

100系統

102線性反饋位移暫存器

104、304、404、504、604雜亂引擎

106邏輯柵

108主機

110儲存型快閃記憶體

seed起始值

700-706、800-806、900-906、步驟

1000-1008、1100-1108

具體實施方式