[發明專利]低阻襯底上的多表面集成器件

有效

• 申請號: 201210313791.4
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN102832210A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 王若楠;劉燕;何松;王婷婷
• 申請（專利權）人: 香港應用科技研究院有限公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01L25/16;H01L23/14
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種器件，其至少一個部件位于多個襯底表面中的一個表面上，該器件包括：

第一襯底，其電阻值在大約0.1歐姆-厘米到10歐姆-厘米，其有至少第一和第二表面；

第一導電部件，其置于所述第一襯底的第一表面上，其與所述第一表面之間可以有中間隔電層，也可以沒有；

第二導電部件，其置于所述第一襯底的第二表面上，；

一空腔，其形成在所述第一襯底上；

第二材料，其電阻值要高于所述第一襯底的電阻值，其被至少部分地填入所述第一襯底的空腔內；

一個或多個導電線路，其形成在所述第二材料內，其電連接所述第一導電部件和所述第二導電部件以形成一器件。

2.如權利要求1所述的器件，其中所述器件包括電感器。

3.如權利要求1所述的器件，其中所述器件包括電容器。

4.如權利要求1所述的器件，其中所述器件包括天線。

5.如權利要求1所述的器件，還包括集成在一起的第二器件。

6.如權利要求5所述的器件，其中所述器件和所述第二器件串聯或并聯。

7.如權利要求5所述的器件，其中所述器件和所述第二器件是分開單獨使用的。

8.如權利要求1所述的器件，其中所述第二材料的電阻值等于或高于大約10的12次方歐姆-厘米，低于大約10的16次方歐姆-厘米。

9.一種垂直集成器件堆疊，包括權利要求1所述的器件。

10.如權利要求8所述的垂直集成器件堆疊，其中所述器件堆疊包括有源器件。

11.一種器件形成方法，其中至少一個部件位于多個襯底表面中的一個表面上，該方法包括：

提供第一襯底，其電阻值在大約0.1歐姆-厘米到10歐姆-厘米，其有至少第一和第二表面；

形成第一導電部件并將其置于所述第一襯底的第一表面上，其與所述第一表面之間可以有中間隔電層，也可以沒有；

形成第二導電部件并其置于所述第一襯底的第二表面上，；

去除一部分所述第一襯底；

將第二材料填入所述第一襯底的所述去除部分，所述第二材料的電阻值要高于所述第一襯底的電阻值；

形成通孔穿過所述第二材料，在所述通孔內形成傳導線路，連接到一個或多個第一和第二焊盤；

在所述第二材料內形成一個或多個導電線路，其電連接所述第一導電部件和所述第二導電部件以形成一器件。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述器件是一個集成的無源器件。

13.如權利要求11所述的方法，其中所述集成無源器件選自一個或多個電感器、電容器、或天線。

14.如權利要求10所述的方法，還包括：在所述第一襯底的第一表面上或第二表面下垂直地集成另一個器件。

15.如權利要求13所述的方法，其中所述另一個器件選自有源或無源器件。

16.如權利要求10所述的方法，其中所述第一襯底是硅。

17.如權利要求10所述的方法，其中所述第二材料是高阻聚合物。

18.如權利要求10所述的方法，其中所述第二材料的電阻值等于或高于大約10的12次方歐姆-厘米，低于大約10的16次方歐姆-厘米。