[發明專利]片狀壓敏電阻

有效

• 申請號: 201210313585.3
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN102969102A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 上田要;森合克成;伊丹崇裕
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01C7/112
• 分類號: H01C7/112;H01C1/14
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

技術領域

本發明涉及一種片狀壓敏電阻（chip?varistor）。

背景技術

一種已知的片狀壓敏電阻是多層片狀壓敏電阻（chip?varistor），該多層片狀壓敏電阻設置有壓敏電阻素體，該壓敏電阻素體具有壓敏電阻層和將壓敏電阻層設置在中間的內部電極，并且還設置有端子電極，該端子電極設置在壓敏電阻素體的端部以連接于相應的內部電極（例如，日本特開2002-246207）。在多層片狀壓敏電阻中，壓敏電阻層中的內部電極間的區域起到作為呈現非線性電壓-電流特性（以下也稱為“壓敏電阻特性”）的區域的功能。

發明內容

在最近的高速接口中，為了實現高速化，IC自身的構造相對于ESD（Electrostatic?Discharge：靜電放電）變得脆弱。因此，高速傳送類IC的ESD應對要求提高，上述層疊片狀壓敏電阻被用作ESD應對部件。作為高速傳送類用的ESD應對部件所要求的特性，靜電電容的降低是必須的。若呈現的靜電電容大，則信號完整性（品位）產生問題，最壞的情況是有可能不能通信。

作為降低層疊片狀壓敏電阻的靜電電容的方法，可以考慮減少與壓敏電阻層相接配置的內部電極相互重疊的部分的面積。通過減少內部電極相互重疊的部分的面積，使呈現靜電電容的區域減少，靜電電容降低。然而，若內部電極相互重疊的部分的面積（以下，稱為“重疊面積”）少，則會產生對ESD的耐受量（以下，稱為“ESD耐受量”）降低這樣的新問題。在施加ESD那樣的浪涌電壓的情況下，在內部電極相互重疊的部分的電場分布集中于內部電極相互重疊的部分的端部。若內部電極相互重疊的部分的電場分布集中于端部，則重疊面積越減少，ESD耐受量越急劇降低。

層疊片狀壓敏電阻，如上述那樣，具備與壓敏電阻層相接配置的內部電極。因此，難以良好地維持ESD耐受量。

本發明的目的在于，提供一種不具備上述的內部電極而可以良好地維持ESD耐受量的片狀壓敏電阻。

本發明是片狀壓敏電阻，具備：壓敏電阻部，由以ZnO作為主成分的燒結體構成，呈現電壓非線性特性；多個導電部，由以ZnO作為主成分的燒結體構成并且夾著壓敏電阻部而配置，分別具備與壓敏電阻部連接的第一主面和與第一主面相對的第二主面；以及多個端子電極，與多個導電部連接；各端子電極具有與第二主面連接的第一電極部分和與第一電極部分連接的第二電極部分。

在本發明中，呈現壓敏電阻特性的壓敏電阻部被各導電部夾著且與各導電部連接，并且與導電部連接的端子電極具有第一電極部分和第二電極部分。本發明的片狀壓敏電阻與上述層疊片狀壓敏電阻不同，不具備與壓敏電阻層相接配置的內部電極，并呈現壓敏電阻特性。因此，即使在施加ESD那樣的浪涌電壓的情況下，在壓敏電阻部也不會產生電場分布集中的地方，不會降低ESD耐受量。

壓敏電阻部包含存在選自堿金屬、Ag和Cu中的至少一種元素的第一區域和遍及多個導電部的第一主面間進行延伸且不存在選自堿金屬、Ag和Cu中的元素的第二區域，各導電部包含存在選自堿金屬、Ag和Cu中的至少一種元素的第一區域和遍及第一主面與第二主面之間進行延伸且不存在選自堿金屬、Ag和Cu中的元素的第二區域，第一電極部分可以與導電部所包含的第二區域連接。

由以ZnO為主成分的燒結體構成的壓敏電阻部和導電部分別包含存在選自堿金屬、Ag和Cu中的至少一種元素的第一區域。在壓敏電阻部和導電部的各個中，上述第一區域與不存在選自堿金屬、Ag和Cu中的元素的第二區域相比，電導率低，相對介電常數低。片狀壓敏電阻的靜電電容可以用位于端子電極間的壓敏電阻部與導電部各自的靜電電容之和來表示。因此，通過壓敏電阻部和導電部包含上述第一區域，壓敏電阻部和導電部各自的靜電電容低，能夠謀求片狀壓敏電阻的低靜電電容化。

電子部件的端子電極一般通過將含有金屬和玻璃成分的導電性膏體賦予構成電子部件的素體之后進行燒結而形成。在這種情況下，由于端子電極含有玻璃成分，因此，端子電極所包含的金屬相對于素體的覆蓋率有可能產生偏差。在片狀壓敏電阻的端子電極中，若金屬的覆蓋率產生偏差，則片狀壓敏電阻的靜電電容產生偏差。

在使用上述那樣的導電性膏體形成端子電極的情況下，賦予導電性膏體，以使導電性膏體迂回至素體的端面和與該端面相鄰的側面的一部分。端子電極一般具有以迂回至側面的方式形成的部分，在該部分的尺寸產生偏差的情況下，由端子電極所包含的金屬覆蓋的面積產生偏差。即使在這種情況下，金屬的覆蓋率也產生偏差，從而使片狀壓敏電阻的靜電電容產生偏差。