[發(fā)明專利]化合物半導(dǎo)體器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210313580.0
• 申請(qǐng)日: 2012-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN103035672A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 今西健治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H02M5/458;H03F3/189
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

1.一種化合物半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

形成在所述襯底之上的電子溝道層和電子供給層；

形成在所述電子供給層上或上方的柵電極、源電極和漏電極；

形成在所述電子供給層和所述柵電極之間的p型半導(dǎo)體層；和

形成在所述電子供給層和所述p型半導(dǎo)體層之間的空穴阻擋層，所述空穴阻擋層的帶隙大于所述電子供給層的帶隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中

所述電子供給層的組成由Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)表示，以及

所述空穴阻擋層的組成由Al_yGa_1-yN(x＜y≤1)表示。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中

所述電子供給層的組成由Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)表示，以及

所述空穴阻擋層的組成由In_zAl_1-zN(0≤z≤1)表示。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述電子溝道層是GaN層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述p型半導(dǎo)體層是包含Mg的GaN層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述柵電極和所述p型半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括覆蓋在所述柵電極與所述源電極之間的區(qū)域和所述柵電極與所述漏電極之間的區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域中的所述電子供給層的終端化膜。

8.一種電源裝置，包括：

化合物半導(dǎo)體器件，所述化合物半導(dǎo)體器件包括：

襯底；

形成在所述襯底之上的電子溝道層和電子供給層；

形成在所述電子供給層上或上方的柵電極、源電極和漏電極；

形成在所述電子供給層和所述柵電極之間的p型半導(dǎo)體層；和

形成在所述電子供給層和所述p型半導(dǎo)體層之間的空穴阻擋層，所述空穴阻擋層的帶隙大于所述電子供給層的帶隙。

9.一種放大器，包括：

化合物半導(dǎo)體器件，所述化合物半導(dǎo)體器件包括：

襯底；

形成在所述襯底之上的電子溝道層和電子供給層；

形成在所述電子供給層上或上方的柵電極、源電極和漏電極；

形成在所述電子供給層和所述柵電極之間的p型半導(dǎo)體層；和

形成在所述電子供給層和所述p型半導(dǎo)體層之間的空穴阻擋層，所述空穴阻擋層的帶隙大于所述電子供給層的帶隙。

10.一種制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底之上形成電子溝道層和電子供給層；

在所述電子供給層上或上方形成柵電極、源電極和漏電極；

在形成所述柵電極之前，形成位于所述電子供給層與所述柵電極之間的p型半導(dǎo)體層；以及

在形成所述p型半導(dǎo)體層之前，形成位于所述電子供給層與所述p型半導(dǎo)體層之間的空穴阻擋層，所述空穴阻擋層的帶隙大于所述電子供給層的帶隙。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中

所述電子供給層的組成由Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)表示，以及

所述空穴阻擋層的組成由Al_yGa_1-yN(x＜y≤1)表示。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中

所述電子供給層的組成由Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)表示，以及

所述空穴阻擋層的組成由In_zAl_1-zN(0≤z≤1)表示。

13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中形成所述空穴阻擋層包括從所述電子供給層的表面除去Ga。