[發明專利]光耦合器的制造方法及光耦合器用引線框架片材有效
| 申請號: | 201210313508.8 | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN103163604A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 竹內輝雄;竹下篤史 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | G02B6/43 | 分類號: | G02B6/43;G02B6/42 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 耦合器 制造 方法 耦合 器用 引線 框架 | ||
相關申請
本申請享有以日本專利申請2011-276136號(申請日:2011年12月16日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。
技術領域
下述的實施方式大體上涉及光耦合器的制造方法及光耦合器用引線框架片材。
背景技術
以往以來,當制造對向型光耦合器時,一直使用形成了多個發光側引線框架的發光元件側引線框架片材、和形成了多個受光側引線框架的受光元件側引線框架片材的2個引線框架片材。但是,近年來,為了使引線框架片材的材料的利用效率得到提高,并且降低引線框架片材的制作成本,提出了一種在1片引線框架片材上形成發光側引線框架及受光側引線框架這兩者的技術。在該技術中,需要從引線框架片材將例如發光側引線框架切除(日本語:切り離す)之后、使其與引線框架片材上殘留的受光側引線框架對置,但是精度良好地定位發光側引線框架和受光側引線框架是比較困難的。
發明內容
本發明的實施方式提供一種可以精度良好地定位發光側引線框架和受光側引線框架的光耦合器的制造方法及光耦合器用引線框架片材。
實施方式所涉及的光耦合器的制造方法要使用引線框架片材。在上述引線框架片材上,交替排列多條發光列部和多條受光列部,上述多條發光列部的多個發光側的引線框架部排列為一列,并且上述多條發光列部設有3個以上的發光側耦合桿,上述多條受光列部的多個受光側的引線框架部排列為一列,并且上述多條受光列部設有3個以上的受光側耦合桿,上述發光列部的一端及上述受光列部的一端通過結合部而相互連結,在上述發光列部及上述受光列部中的一方的列部的各個上形成第1引導孔,在除去上述一方的列部以外的部分形成有第2引導孔。而且,上述光耦合器的制造方法具備:搭載工序,在上述引線框架片材上的上述發光側引線框架部搭載發光元件,并且在上述受光側引線框架部搭載受光元件;定位工序,將上述一方的列部從上述結合部切除,并且將模具上所形成的第1引導銷插通到上述第2引導孔,從而將上述引線框架片材相對于上述模具進行定位;對置工序,將上述模具上所形成的第2引導銷插通到上述第1引導孔,并且將各上述發光側耦合桿和各上述受光側耦合桿重合,從而將上述一方的列部相對于上述模具進行定位,使上述發光元件和上述受光元件對置;結合工序,在上述模具上使各上述發光側耦合桿和各上述受光側耦合桿相互結合;樹脂體形成工序,以覆蓋由各上述發光元件及各上述受光元件形成的組的方式形成樹脂體;以及切除工序,從上述發光列部切除上述發光側引線框架部,并且從上述受光列部切除上述受光側引線框架部。
實施方式所涉及的光耦合器用引線框架片材具備:交替排列的多條發光列部及多條受光列部;以及將上述發光列部的一端及上述受光列部的一端相互連結的結合部。上述發光列部具有:排列成一列的多個發光側引線框架部;以及3個以上的發光側耦合桿。上述受光列部具有:排列成一列的多個受光側引線框架部;以及3個以上的受光側耦合桿。在上述發光列部及上述受光列部中的一方的列部形成有第1引導孔,在上述光耦合器用引線框架片材的除去上述一方的列部以外的部分形成有第2引導孔。
根據本發明的實施方式,能夠提供一種可以精度良好地定位發光側引線框架和受光側引線框架的光耦合器的制造方法及光耦合器用引線框架片材。
附圖說明
圖1是示例第1實施方式所涉及的光耦合器用引線框架片材的平面圖。
圖2是圖1的放大圖。
圖3(a)是由圖2所示的A-A'線得到的剖面圖,圖3(b)是由圖2所示的的B-B'線得到的剖面圖。
圖4是示例第1實施方式所涉及的光耦合器制造方法的流程圖。
圖5(a)是示例第1實施方式所涉及的光耦合器制造方法的平面圖,圖5(b)是其部分剖面圖。
圖6(a)是示例第1實施方式所涉及的光耦合器制造方法的平面圖,圖6(b)是其部分剖面圖。
圖7是示例第1實施方式所涉及的光耦合器制造方法的平面圖。
圖8(a)是示例第1實施方式所涉及的光耦合器制造方法的平面圖,圖8(b)是其部分剖面圖。
圖9(a)及圖9(b)是示例第1實施方式所涉及的光耦合器制造方法的附圖,圖9(a)表示發光列部的旋轉前的狀態,圖9(b)表示發光列部的旋轉后的狀態。
圖10(a)是示例第1實施方式所涉及的光耦合器制造方法的平面圖,圖10(b)及圖10(c)是其部分剖面圖。
圖11(a)是示例第1實施方式所涉及的光耦合器制造方法的平面圖,圖11(b)是其部分剖面圖。
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