[發明專利]開關電源驅動電路、集成電路及開關電源有效
| 申請號: | 201210313484.6 | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN102801331A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發明(設計)人: | 張美玲;郜小茹;陳超;朱亞江 | 申請(專利權)人: | 上海新進半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335;H02M1/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 200241 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關電源 驅動 電路 集成電路 | ||
本申請要求于2011年8月29日提交中國專利局、申請號為201110251283.3、發明名稱為“開關電源集成電路”的中國專利申請的優先權,其全部內容通過引用結合在本申請中。
技術領域
本發明涉及集成電路制造技術領域,尤其涉及一種開關電源驅動電路、集成電路及開關電源。
背景技術
1955年美國羅耶(GH.Roger)發明的自激振蕩推挽晶體管單變壓器直流變換器,是實現高頻轉換控制電路的開端,1957年美國查賽(Jen?Sen)發明了自激式推挽雙變壓器,1964年美國科學家們提出取消工頻變壓器的串聯開關電源的設想,這對電源向體積和重量的下降獲得了一條根本的途徑。到了1969年由于大功率硅晶體管的耐壓提高,二極管反向恢復時間的縮短等元器件改善,終于做成了25千赫的開關電源。
目前,開關電源產品以其體積小、重量輕、電能轉換效率高等特點而被廣泛應用于工業自動化控制、軍工設備、科研設備、LED照明、工控設備、通訊設備、電力設備、儀器儀表、醫療設備、半導體制冷制熱、空氣凈化器、電子冰箱、液晶顯示器、LED燈具、通訊設備、視聽產品、安防、電腦機箱、數碼產品和儀器類等領域。
對于開關電源來說,啟動時間是它的一個重要參數。伴隨著開關電源的廣泛應用,快速完成開關電源的啟動過程越來越成為電源應用者所追求的目標。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供了一種開關電源驅動電路、集成電路及開關電源,以提高開關電源的啟動速度。
為解決上述問題,本發明實施例提供了如下技術方案:
一種開關電源集成電路,包括:
原邊控制器;
與所述原邊控制器相連的功率開關管;
輸入端與外部電源相連,輸出端與功率開關管基極相連的啟動電阻;
其中,在該開關電源集成電路啟動時,所述功率開關管將從啟動電阻輸出端流出的電流放大,然后提供給原邊控制器,所述原邊控制器將所述放大的電流提供給所述開關電源集成電路的充電電容。
優選地,所述原邊控制器包括:
第一NMOS管,所述第一NMOS管的柵極、源極和漏極分別與偏置電壓、參考地和功率開關管的基極相連;
第二NMOS管,所述第二NMOS管的柵極和漏極分別與原邊控制器的內部電源和功率開關管的發射極相連,其源極通過第一電阻與參考地相連;
第三NMOS管,所述第三NMOS管的柵極與原邊控制器的內部電源相連,其源極與所述第一NMOS管和功率開關管的公共端相連;
與所述第三NMOS管的漏極相連的電流鏡。
優選地,所述第一NMOS管與第二NMOS管的襯底分別與自身的源極相連;所述第三NMOS管的襯底接地。
優選地,所述電流鏡包括:第一PMOS管和第二PMOS管;
其中,所述第一PMOS管的柵極和源極分別與所述第二PMOS管的柵極和源極相連;
所述第一PMOS管和第二PMOS管的源極均與其對應的襯底相連、并通過第一電容與參考地相連;
所述第一PMOS管的柵極和漏極相連并連接一電流源;
所述第二PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的漏極相連。
優選地,所述功率開關管的發射極通過一單向導通二極管與原邊控制器中的第一電容相連。
優選地,所述原邊控制器還包括:設置在所述第三NMOS管的柵極與原邊控制器的內部電源之間的電流放大電路。
優選地,所述電流放大電路包括:
串接于所述原邊控制器的內部電源與第三NMOS管的柵極之間的第二電阻;
一端與所述第二電阻和第三NMOS管柵極的公共端相連,另一端與一脈沖寬度調制信號相連的第二電容。
優選地,所述第三NMOS管為對稱、耐高壓NMOS管。
優選地,所述功率開關管為NPN開關管。
優選地,所述功率開關管為NMOS管。
一種開關電源驅動電路,包括:原邊控制器、啟動電阻和電容;其中:
所述啟動電阻一端與開關電源的工作電源相連,另一端與開關電源功率開關管控制端相連;
所述原邊控制器的接收端與所述功率開關管的輸出端相連,接收所述功率開關管的輸出電流,并提供給所述電容,所述功率開關管的輸出電流為所述功率開關管將從所述啟動電阻輸出端流出的電流放大后的電流。
優選地,所述原邊控制器包括:
柵極連接所述開關電源的偏置電壓、漏極連接所述功率開關管控制端、源極接地的第一NMOS管;
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