[發明專利]一種半導體激光器陣列單芯片的封裝方法有效
| 申請號: | 201210313383.9 | 申請日: | 2012-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN103633549A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 李江;廖新勝;張麗芳;江先鋒;孫博書 | 申請(專利權)人: | 蘇州長光華芯光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/02 | 分類號: | H01S5/02;H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 曹毅 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體激光器 陣列 芯片 封裝 方法 | ||
1.一種半導體激光器陣列單芯片的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1)將氮化鋁散熱片(2)按照半導體激光器的巴條尺寸切割;
步驟2)將氮化鋁散熱片(2)與無氧銅熱沉塊(1)用焊料焊接于一起,并按照半導體激光器巴條上的單芯片(3)排列周期將氮化鋁散熱片(2)切割出電絕緣槽(4);
步驟3)用特殊設計的機械夾具及氧化鋁陶瓷墊片將氮化鋁散熱片、焊料及半導體激光器bar條壓合于一起,并將其置入高溫回流爐中進行高溫焊接,最高溫度達280℃;
步驟4)用高速旋轉的切片沿半導體激光器巴條芯片之間的切槽方向將巴條切割開,使得巴條上的芯片變成獨立的單芯片(3);
步驟5)用打線機將獨立的單芯片(3)陰極與相鄰單芯片(3)的陽極金線連接,并將平行排列的集成的半導體激光器巴條上的芯片一端的陰極和另一端的陽極分別連接到無氧銅熱沉塊(1)的電極片(5)上,以備電性連接外部電源。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器陣列單芯片的封裝方法,其特征在于:整個封裝過程所使用焊料為金錫硬焊料,實現無煙焊接。
3.根據權利要求1所述的半導體激光器陣列單芯片的封裝方法,其特征在于:所述氮化鋁散熱片(2)為陶瓷材質。
4.根據權利要求1所述的半導體激光器陣列單芯片的封裝方法,其特征在于:所述氮化鋁散熱片(2)的表面鍍金電絕緣,散熱片厚度為0.15mm。
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