[發明專利]固體拍攝元件無效
| 申請號: | 201210313269.6 | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN102983142A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 今野有作;岡田直忠;國分弘一 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 王成坤;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 拍攝 元件 | ||
1.固體拍攝元件,具有:
基板,設置有多個光電轉換部;以及
多個濾色器,分別設置于所述多個光電轉換部,使特定的波長頻帶的光選擇性地透過,
多個所述濾色器分別具有:層疊構造部,層疊有折射率不同的多個層;以及周期構造部,根據所述特定的波長頻帶及光的入射角度,以不同的周期,設置有多個要素。
2.根據權利要求1所述的固體拍攝元件,其中,
所述周期構造部具有基底層以及多個所述要素,
所述基底層的折射率比多個所述要素的折射率低。
3.根據權利要求2所述的固體拍攝元件,其中,
多個所述要素設置于所述基底層中。
4.根據權利要求1所述的固體拍攝元件,其中,
在所述基板的第二區域的上方設置的多個所述要素的周期比在所述基板的第一區域的上方設置的多個所述要素的周期短,其中,所述基板的第二區域是指,與所述基板的第一區域相比,光的入射角度變大的區域。
5.根據權利要求1所述的固體拍攝元件,其中,
在所述基板周緣側的上方設置的多個所述要素的周期比在所述基板中心側的上方設置的多個所述要素的周期短。
6.根據權利要求4所述的固體拍攝元件,其中,
多個所述要素以滿足以下算式的方式設置:
P1=P·cosθ,
這里,P是所述基板的第一區域上方的多個所述要素的配設間距尺寸,P1是所述基板的第二區域上方的多個所述要素的配設間距尺寸,θ是光的入射角度。
7.根據權利要求1所述的固體拍攝元件,其中,
在所述基板的第二區域的上方設置的多個所述要素的大小比在所述基板的第一區域的上方設置的多個所述要素的大小要小,其中,所述基板的第二區域是指,與所述基板的第一區域相比,光的入射角度變大的區域。
8.根據權利要求1所述的固體拍攝元件,其中,
多個所述要素的形態是點狀、條紋狀及孔狀中的任一種。
9.根據權利要求8所述的固體拍攝元件,其中,
在俯視時,多個所述條紋狀的要素從所述基板的中心側向所述基板的周緣側延伸。
10.根據權利要求8所述的固體拍攝元件,其中,
多個所述點狀的要素設置于所述基板的中心側區域的上方。
11.根據權利要求8所述的固體拍攝元件,其中,
多個所述條紋狀的要素設置于所述基板的周緣側區域的上方。
12.根據權利要求8所述的固體拍攝元件,其中,
在俯視時,多個所述條紋狀的要素與所述基板的對角線平行地延伸。
13.根據權利要求8所述的固體拍攝元件,其中,
在俯視時,多個所述條紋狀的要素從所述基板的中心放射狀地延伸。
14.根據權利要求1所述的固體拍攝元件,其中,
多個所述要素包括從具有硅、多晶硅、氧化硅的群中選擇出的至少一種。
15.根據權利要求2所述的固體拍攝元件,其中,
所述基底層包括從具有硅、多晶硅、氧化硅的群中選擇出的至少一種。
16.根據權利要求1所述的固體拍攝元件,其中,
所述層疊構造部具有下部反射鏡層和在所述下部反射鏡層的上方設置的上部反射鏡層,
所述上部反射鏡層和所述下部反射鏡層具有在層疊方向上對稱的構造。
17.根據權利要求16所述的固體拍攝元件,其中,
所述上部反射鏡層具有第一層和第二層這種層疊構造,
所述第一層的折射率比所述第二層的折射率高。
18.根據權利要求16所述的固體拍攝元件,其中,
所述下部反射鏡層具有所述第一層和所述第二層這種層疊構造,
所述第一層的折射率比所述第二層的折射率高。
19.根據權利要求16所述的固體拍攝元件,還具有,
控制層,設置于所述下部反射鏡層與所述上部反射鏡層之間。
20.根據權利要求16所述的固體拍攝元件,其中,
所述第一層的膜厚及所述第二層的膜厚滿足以下的算式:
D=λ/(4×n),
這里,D是所述第一層或所述第二層的膜厚,λ是可視區域中的中心波長,n是所述第一層或所述第二層的折射率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝,未經株式會社東芝許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210313269.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種新型方形電池
- 下一篇:包括多電平單元的非易失性存儲器設備和系統及方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





