[發(fā)明專利]一種羥基氧化鎵納米晶體的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210313080.7 | 申請日： | 2012-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN102786078A | 公開（公告）日： | 2012-11-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張劍;史立慧;吳思 | 申請（專利權(quán)）人： | 吉林大學(xué) |
| 主分類號： | C01G15/00 | 分類號： | C01G15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 長春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201 | 代理人： | 王恩遠(yuǎn) |
| 地址： | 130012 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 羥基 氧化 納米 晶體 制備 方法 | ||
1.一種羥基氧化鎵納米晶體的制備方法，取氯化鎵的苯飽和溶液再用9～10倍體積的苯稀釋，在超聲條件下滴入濃度為3～10mmol/L的十六烷基三甲基溴化銨的去離子水溶液；當(dāng)上層苯溶液呈棕色、下層水溶液呈無色透明并不再發(fā)生改變時(shí)，再加熱至160～200℃反應(yīng)10～18小時(shí)；反應(yīng)結(jié)束降至室溫，將苯溶液和水溶液一起用去離子水清洗，收集沉淀烘干，得到羥基氧化鎵納米晶體。
2.按照權(quán)利要求1所述的羥基氧化鎵納米晶體的制備方法，其特征在于，所述的氯化鎵，純度不低于99.99％；所述的十六烷基三甲基溴化銨，純度不低于99％；所述的苯，為分析純。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的羥基氧化鎵納米晶體的制備方法，其特征在于，所述的十六烷基三甲基溴化銨的去離子水溶液，濃度為5mmol/L；反應(yīng)在反應(yīng)釜中進(jìn)行，控制反應(yīng)溫度180℃，反應(yīng)時(shí)間12小時(shí)。
4.一種權(quán)利要求1的羥基氧化鎵納米晶體的制備方法制得的產(chǎn)品。
5.按照權(quán)利要求4所述的羥基氧化鎵納米晶體的制備方法制得的產(chǎn)品，其特征是，羥基氧化鎵納米晶體為白色粉末狀；晶體的形貌為棱柱狀。
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