[發(fā)明專利]一種電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210312980.X | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN103633047A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 葉達勛;曹太和;顏承正 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張龍哺;馮志云 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電子 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明有關于一種電子裝置。特別是,本發(fā)明關于一種具有核心電路(core?circuit)與焊墊單元(pad?unit)電連接的電子裝置。在核心金氧半導體(core?MOS)中的核心柵極,與焊墊金氧半導體(pad?MOS)中的焊墊柵極,都具有相同或是彼此平行的延伸方向。
背景技術
一般以半導體工藝來制造具有集成電路(integrated?circuit)的芯片。此多個芯片會設計具有輸出/輸入(I/O)用的焊墊單元,以接收輸入信號及傳送輸出信號等連接功能,也可用以控制或是驅動信號,亦即芯片通過焊墊與其他電路溝通。
此外,集成電路(IC)芯片在制造過程及系統(tǒng)應用時,都可能會遭受到靜電放電(ESD)的情況,靜電放電信號可能會由芯片的焊墊傳送到芯片中,而損壞芯片的內部電路。因此,芯片的焊墊電路也需防止靜電放電的情況。
然而,在進入了40納米(nm)以下的先進工藝后,元件的不匹配(device?dismatch)的問題,使得集成電路的核心電路以及焊墊單元的元件的元件特性遭遇許多的挑戰(zhàn)。
發(fā)明內容
因此,本發(fā)明的目的之一在于提出一種電子裝置(如集成電路),其將核心電路以及焊墊單元的金氧半導體(MOS)元件擺放同一方向,以克服現有技術元件不匹配的問題;并進一步提出多種焊墊單元的不同擺放方式,其可最佳化面積使用率,并增加與核心電路或焊線(bonding?wire)連接的方便性與多樣性。
本發(fā)明首先提出一種電子裝置,包含核心電路與多個焊墊單元。核心電路包含有多個核心金氧半導體,而多個焊墊單元則分別與核心電路電連接,每個焊墊單元又包含有至少一個焊墊金氧半導體。每個核心金氧半導體的核心柵極與每個焊墊金氧半導體的焊墊柵極,都具有相同的延伸方向。
本發(fā)明其次提出另一種電子裝置,包含核心電路與多個焊墊單元。核心電路包含有多個核心金氧半導體,而多個焊墊單元則分別與核心電路電連接,每個焊墊單元又包含有至少一個焊墊金氧半導體。每個核心金氧半導體的核心柵極與每個焊墊金氧半導體的焊墊柵極,都具有彼此平行的延伸方向。
附圖說明
圖1繪示本發(fā)明電子裝置的焊墊單元群中,單排的焊墊單元排列在核心電路四個側邊附近的實施方式;
圖2繪示核心柵極與焊墊柵極都具有相同的延伸方向;
圖3繪示核心柵極與焊墊柵極都具有彼此平行的延伸方向;
圖4至圖7繪示本發(fā)明電子裝置的焊墊單元群的多種排布的實施方式。
其中,附圖標記說明如下:
100?電子裝置;
101?芯片;
110?核心電路;
111/112/113?核心金氧半導體;
114?核心柵極;
120?焊墊單元;
121?N型金氧半導體區(qū)域;
122?焊墊區(qū)域;
123?P型金氧半導體區(qū)域;
124?焊墊金氧半導體;
125?焊墊柵極;
126?焊墊單元群;
210/211/212/220/230/240/250/260/270/280?排列方式。
具體實施方式
根據本發(fā)明實施例的電子裝置,其所有金氧半導體的柵極,無論是來自核心電路或是焊墊單元,都具有相同或是彼此平行的延伸方向。另外,焊墊單元還可以多種不同的方式,排列在核心電路的四個側邊區(qū)域。
圖1至圖7繪示本發(fā)明電子裝置的多種實施例。圖1繪示本發(fā)明電子裝置的焊墊單元群(pad?unit?group)中,單排的焊墊單元排列在核心電路四個側邊附近的實施方式。請參閱圖1,本發(fā)明電子裝置100位于芯片101上,至少包含有核心電路110與多個焊墊單元120。核心電路110是芯片101執(zhí)行主要功能的區(qū)域,在核心電路110中會包含有多個核心金氧半導體,例如核心金氧半導體111/112/113。
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