[發明專利]靜態隨機存取存儲器及其存儲性能的改善方法

有效

• 申請號: 201210312975.9
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103632713A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 潘勁東;陳雙文;魏芳偉;方偉;丁艷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種靜態隨機存取存儲器，其特征在于，包括：存儲單元、字線驅動器、靈敏放大器和包括MOS晶體管的追蹤電路；

所述字線驅動器的輸出端通過字線與所述存儲單元相連接，所述字線驅動器的觸發端適于接收字線驅動器使能信號；

所述靈敏放大器的輸入端通過位線與所述存儲單元相連接，所述靈敏放大器的觸發端適于接收靈敏放大器使能信號；

所述追蹤電路的輸入端適于接收所述字線驅動器使能信號，所述追蹤電路的輸出端適于輸出所述靈敏放大器使能信號，所述追蹤電路的MOS晶體管的閾值電壓Vth適于調整所述位線之間的電壓差Vdb和電源電壓Vdd的變化關系。

2.根據權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，所述位線之間的電壓差Vdb和電源電壓Vdd的變化關系包括所述位線之間的電壓差Vdb隨電源電壓Vdd變化的變化率或比例關系，所述比例關系為正比例或反比例。

3.根據權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，所述追蹤電路的MOS晶體管的閾值電壓Vth適于使所述位線之間的電壓差Vdb隨電源電壓Vdd變化的變化率減小。

4.根據權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，所述追蹤電路的MOS晶體管的閾值電壓Vth適于使所述位線之間的電壓差Vdb隨電源電壓Vdd成反比例變化。

5.根據權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，所述MOS晶體管的閾值電壓Vth、位線之間的電壓差Vdb和電源電壓Vdd滿足關系：

Vdb∝Vdd×(Vdd-VtcVdd-|Vth|)2,]]>Vtc為所述存儲單元的傳輸管的閾值電壓。

6.根據權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，所述追蹤電路包括延時電路，所述延時電路適于延時所述字線驅動器使能信號的上升沿以產生所述靈敏放大器使能信號的上升沿，所述延時電路包括所述MOS晶體管。

7.根據權利要求6所述的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，所述延時電路包括存儲單元的復制單元，所述存儲單元的復制單元適于模擬所述存儲單元的數據讀取過程以控制所述字線驅動器使能信號的上升沿的延時時間，所述存儲單元的復制單元包括所述MOS晶體管。

8.根據權利要求6所述的靜態隨機存取存儲器，其特征在于，所述延時電路包括反相器鏈，所述反相器鏈適于控制所述字線驅動器使能信號的上升沿的延時時間，所述反相器鏈包括所述MOS晶體管。

9.一種靜態隨機存取存儲器存儲性能的改善方法，其特征在于，

所述靜態隨機存取存儲器包括：存儲單元、字線驅動器、靈敏放大器和包括MOS晶體管的追蹤電路；所述字線驅動器的輸出端通過字線與所述存儲單元相連接，所述字線驅動器的觸發端適于接收字線驅動器使能信號；所述靈敏放大器的輸入端通過位線與所述存儲單元相連接，所述靈敏放大器的觸發端適于接收靈敏放大器使能信號；所述追蹤電路的輸入端適于接收所述字線驅動器使能信號，所述追蹤電路的輸出端適于輸出所述靈敏放大器使能信號；

所述方法包括：改變所述追蹤電路的MOS晶體管的閾值電壓Vth以調整所述位線之間的電壓差Vdb和電源電壓Vdd的變化關系。

10.根據權利要求9所述的靜態隨機存取存儲器存儲性能的改善方法，其特征在于，所述位線之間的電壓差Vdb和電源電壓Vdd的變化關系包括所述位線之間的電壓差Vdb隨電源電壓Vdd變化的變化率或比例關系，所述比例關系為正比例或反比例。