[發明專利]PMOS晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201210312944.3
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103632975A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 陳勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種PMOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底中預定形成源區及漏區的區域形成有sigma形凹槽；

向所述sigma形凹槽內填充第一硅鍺材料層，所述第一硅鍺材料層未填滿所述sigma形凹槽；

去除所述sigma形凹槽底部的部分厚度的第一硅鍺材料層；

向所述sigma形凹槽內填充第二硅鍺材料層至填滿停止，所述第二硅鍺材料層的鍺的含量高于所述第一硅鍺材料層的鍺的含量。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述sigma形凹槽底部的部分厚度的第一硅鍺材料層是通過堿性溶液處理實現的。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述堿性溶液為TMAH溶液或氨水。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述處理的溫度為20~100℃，處理時間為5~100s。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽內填充的第一硅鍺材料層的鍺的原子數所占百分比為5~30%。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽內填充第一硅鍺材料層時，進行原位摻雜P型元素。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述P型元素為硼，摻雜劑量為0.1~5E20/cm³。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽內填充的第一硅鍺材料層的厚度為2~5nm。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽內填充的第二硅鍺材料層的鍺的原子數所占百分比為20~60%。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽內填充第二硅鍺材料層時，進行原位摻雜P型元素。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述P型元素為硼，摻雜劑量為0.1~5E20/cm³。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽內填充的第二硅鍺材料層的厚度為3~10nm。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽內填充第二硅鍺材料層至填滿停止后，還在所述第二硅鍺材料層上形成第三硅鍺材料層，所述第三硅鍺材料層的鍺的含量低于所述第二硅鍺材料層的鍺的含量。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，形成的第三硅鍺材料層的鍺的原子數所占百分比小于30%。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，形成第三硅鍺材料層時，進行原位摻雜P型元素。

16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，所述P型元素為硼，摻雜劑量為0.1~5E20/cm³。

17.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，形成的第三硅鍺材料層的厚度小于5nm。

18.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述sigma形凹槽的形成方法為：在所述襯底上形成柵極結構，在所述柵極結構兩側形成側墻，以所述柵極結構及側墻為掩模，在所述襯底中預定形成源區及漏區的區域形成sigma形凹槽。

19.一種根據上述權利要求1至18中任意一項所述的方法制作的PMOS晶體管。