[發明專利]一種多層氮化硅減反膜太陽能電池制作方法

無效

• 申請號: 201210312764.5
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN102800760A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 范志東;王靜;張東升;趙學玲;吝占勝;李倩;田世雄
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及太陽能電池制作工藝技術領域，更具體地說，涉及一種多層氮化硅減反膜太陽能電池制作方法。

背景技術

太陽電池的主要載體是硅片，硅片經過表面制絨、擴散制結、刻蝕、沉積減反射膜、印刷電極等工藝制備成太陽能電池片。其中，沉積減反膜是太陽能電池片制造過程中的一個重要工序。減反膜能夠減少硅片表面對光的反射，增加對光的吸收效率。所以，減反膜能夠增加太陽能電池的光電轉換效率。

氮化硅減反膜以其化學性能穩定性好、絕緣性好、硬度高、光學性能良好等優點被光伏應用于太陽能電池制造領域。氮化硅減反膜不但能夠減少硅片表面光的反射，還可以起到鈍化作用，降低硅片載流子復合中心，增加少子的壽命，進一步增加太陽能電池的轉換效率。生產中還常用二氧化鈦減反膜以及二氧化硅減反膜。但是，二氧化鈦減反膜與硅片結合度不高，易剝落，且沒有鈍化作用；而二氧化硅減反膜的折射率較低，減反效果較差。

對于氮化硅減反膜，其厚度以及均勻性是恒量其性能的兩個重要參數。但是，目前現有技術在進行太陽能電池生產時不能夠精確控制氮化硅減反膜的厚度且氮化硅減反膜的均勻性較差，從而影響太陽能電池的光電轉換效率。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供一種多層氮化硅減反膜太陽能電池制作方法，采用所述方法能夠精確控制氮化硅減反膜厚度且使得氮化硅減反膜的均勻性好，保證了太陽能電池的光電轉換效率。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種多層氮化硅減反膜太陽能電池制作方法，該方法包括：

提供一待處理硅片；

在所述硅片受光面上依次沉積至少兩層氮化硅減反膜；

其中，沉積減反膜時，當硅烷與氨氣混合均勻后再對氣體等離子化，進行減反膜沉積；在沉積下一層減反膜之前對反應室進行抽真空處理。

優選的，上述方法中，在所述硅片受光面上依次沉積三層氮化硅減反膜，所述三層氮化硅減反膜的沉積過程為：

在所述硅片受光面上沉積第一層減反膜；

抽真空后，在所述第一層減反膜上沉積第二層減反膜；

抽真空后，在所述第二層減反膜上沉積第三層減反膜。

優選的，上述方法中，沉積第一層減反膜的過程為：

抽真空后，以3000sccm-4000sccm的速度向反應室內持續通入氨氣，同時，以600sccm-800sccm的速度向反應室內持續通入硅烷氣體；

經過60s-90s預混合，使反應室內氨氣與硅烷混合均勻；

對反應室內氣體進行高頻電離，沉積120s-180s，從而在所述硅片上形成第一層減反膜。

優選的，上述方法中，沉積第二層減反膜的過程為：

抽真空后，以4000sccm-4500sccm的速度向反應室內持續通入氨氣，同時，以500sccm-700sccm的速度向反應室內持續通入硅烷氣體；

經過60s-90s預混合，使反應室內氨氣與硅烷混合均勻；

對反應室內氣體進行高頻電離，沉積200s-400s，從而在所述第一層減反膜上形成第二層減反膜。

優選的，上述方法中，沉積第三層減反膜的過程為：

抽真空后，以6500sccm-7000sccm的速度向反應室內持續通入氨氣，同時，以450sccm-600sccm的速度向反應室內持續通入硅烷氣體；

經過60s-90s預混合，使反應室內氨氣與硅烷混合均勻；

對反應室內氣體進行高頻電離，沉積450s-600s，從而在所述第二層減反膜上形成第三層減反膜。

優選的，上述方法中，當沉積完第一層氮化硅減反膜后對所述硅片進行鈍化處理，然后再沉積第二層氮化硅減反膜。

優選的，上述方法中，所述鈍化處理為：

當所述與硅片直接接觸的氮化硅減反膜沉積完成后對反應室進行抽真空處理；

以4000sccm-4500sccm的速度向抽真空后的反應室內持續通入氨氣，并對氨氣進行高頻電離，使所述硅片鈍化。

從上述技術方案可以看出，本發明所提供的多層氮化硅減反膜太陽能電池的制作方法包括：提供一待處理硅片；在所述硅片受光面上依次沉積至少兩層氮化硅減反膜；其中，沉積減反膜時，當硅烷與氨氣混合均勻后再對氣體等離子化，進行減反膜沉積；在沉積下一層減反膜之前對反應室進行抽真空處理。