[發(fā)明專利]一種太陽能電池制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210312717.0 | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN102790135A | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓少鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 214443 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種太陽能電池制作方法。
背景技術(shù)
由于太陽具有無污染、無地域性限制、取之不竭等優(yōu)點(diǎn),開發(fā)利用太陽能成為當(dāng)今新能源領(lǐng)域研究、開發(fā)主要課題。太陽能電池是當(dāng)今人們利用太陽能的一種主要方式。
硅片是太陽能電池的載體,硅片依次經(jīng)過制絨、擴(kuò)散制結(jié)、邊緣刻蝕、去磷硅玻璃、沉積減反膜、印刷電極及燒結(jié)工序制備為太陽能電池。所述太陽能電池經(jīng)過串接封裝形成光伏組件,配合相應(yīng)控制器便構(gòu)成了具有較大輸出功率的光伏發(fā)電系統(tǒng)。
硅片生產(chǎn)商在硅片生產(chǎn)或包裝時(shí)會(huì)造成部分硅片表面的污染,形成沾污片。在進(jìn)行太陽能電池制作時(shí),由于購買的原片(硅片)中有沾污片,所述沾污片在進(jìn)行制絨時(shí)其表面不能充分與制絨試劑反應(yīng),從而導(dǎo)致硅片制絨效果較差。所述沾污片指表面存在污漬污染的硅片,包括:貼紙片、手指印片以及油污片。
其中,所述貼紙片是指:硅片生產(chǎn)商為了使硅片便于運(yùn)輸、存放,在一定數(shù)量的硅片之間會(huì)用紙片隔開,所述紙片兩邊的硅片為貼紙片,貼紙片制絨后會(huì)在表面形成大量白斑;所述手指印片是指:表面存在由于手指觸摸造成的指紋污漬(拆包后無法觀測看出)的硅片,手指印片制絨后在硅片絨面上會(huì)清晰的顯示大量手指?。凰鲇臀燮侵福河捎诠杵|(zhì)量問題,表面存在油污痕跡的硅片,油污片制絨后油污痕跡處有白斑。
由上述可知,在太陽能電池制作過程中,由于所述沾污片的存在,導(dǎo)致硅片制絨質(zhì)量差,絨面不均勻問題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種太陽能電池制作方法,該方法在制備太陽能電池時(shí)首先對硅片進(jìn)行退火處理,以去除沾污片上的污漬,保證了硅片制絨的質(zhì)量,保證了硅片絨面的均勻。。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種太陽能電池制作方法,所述方法對硅片進(jìn)行高溫退火處理,然后再對所述硅片進(jìn)行制絨;
其中,退火的溫度小于所述硅片擴(kuò)散制結(jié)時(shí)的工藝溫度。
優(yōu)選的,上述方法中,退火溫度為350℃-450℃。
優(yōu)選的,上述方法中,退火時(shí)間為5min-10min。
優(yōu)選的,上述方法中,所述制絨為槽式堿制絨。
優(yōu)選的,上述方法中,所述方法還包括:在退火后,制絨前對所述硅片進(jìn)行清水清洗。
從上述技術(shù)方案可以看出,本發(fā)明所提供的太陽能電池制作方法在制備太陽能電池時(shí)對硅片進(jìn)行退火處理后再對所述硅片進(jìn)行制絨。其中,退火的溫度小于所述硅片擴(kuò)散時(shí)的工藝溫度。通過所述退火處理,控制退火溫度,在不改變硅片內(nèi)雜質(zhì)再分布的前提下將硅片中沾污片的表面污漬燃燒干凈,避免了由于沾污片表面污漬導(dǎo)致的硅片制絨質(zhì)量差,保證了硅片制絨后絨面的均勻。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明所提供的一種太陽能電池制作方法的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
正如背景技術(shù)部分所述,硅片生產(chǎn)商在硅片生產(chǎn)或包裝時(shí)會(huì)造成部分硅片表面的污染,形成沾污片。購買的硅片在進(jìn)行太陽能電池生產(chǎn)時(shí),由于存在沾污片,所述沾污片的表面污漬會(huì)導(dǎo)致硅片在進(jìn)行制絨時(shí)硅片不能與制絨試劑充分反應(yīng),導(dǎo)致硅片制絨質(zhì)量差,絨面不均勻問題。
為解決上述問題,在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)一般的解決方法是對硅片進(jìn)行篩選進(jìn)行分類制絨,將硅片表面狀況不好的硅片挑選出來,對挑選出來的硅片,選其外觀較好的面作為擴(kuò)散面,對其該面進(jìn)行制絨。上述方法在一定程度上能夠避免沾污片對太陽能電池制絨質(zhì)量的影響,但是由于片源問題,大多數(shù)沾污片兩個(gè)表面均存在不同程度的污染,且對于手指片,并不能簡單通過觀察表面狀況挑選出來,因此,上述方法并不能十分有效的解決沾污片表面污漬造成的硅片制絨效果較差的問題。
而通過增加硅片的去損度,即增加制絨時(shí)的制絨時(shí)間清洗時(shí)間以加大硅片表面的腐蝕厚度雖然可以避免硅片由于表面存在污漬而導(dǎo)致的絨面質(zhì)量差,即絨面不均勻、存在白斑或指印等問題,但是由于增加了對硅片的腐蝕厚度,降低了硅片制絨后的厚度,導(dǎo)致后續(xù)生產(chǎn)中硅片易碎等問題的發(fā)生。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





