[發明專利]超薄真空密封MEMS晶圓的加工方法無效
| 申請號： | 201210312653.4 | 申請日： | 2012-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN102795593A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 李莉 | 申請（專利權）人： | 深迪半導體（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015 | 代理人： | 齊永紅;常 春 |
| 地址： | 上海市浦東新區龍東大道3*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超薄 真空 密封 mems 加工 方法 | ||
1.超薄真空密封MEMS晶圓的加工方法，包括：
對襯底層晶圓進行刻蝕生成下腔體；
將結構層與襯底進行陽極鍵合；
將結構層減薄至設計的厚度；
在結構層晶圓表面制備金屬圖形，該金屬圖形至少包括一PAD區域；
在結構層刻蝕出運動結構；
在一密封帽層晶圓上腐蝕出上腔體，其中，該上腔體包括對應運動結構的第一部分和對應PAD區域的第二部分；
在第二部分上定義一切割道，并在該切割道繼續刻蝕出陡直側壁的腔體；
在密封帽層晶圓上制備鍵合層粘結劑；
將結構層晶圓與密封帽層晶圓進行鍵合；
將鍵合好的晶圓進行雙面研磨減薄，其中至少將密封帽層晶圓減薄至PAD區域暴露出。
2.根據權利要求1的所述的方法，其特征在于：再沿該切割道切割。
3.根據權利要求1的所述的方法，其特征在于：所述刻蝕方法為深離子反應刻蝕（DRIE）。
4.根據權利要求1的所述的方法，其特征在于：結構層減薄方法采用化學機械平坦化工藝（CMP）。
5.根據權利要求1的所述的方法，其特征在于：用KOH溶液腐蝕出上腔體。
6.根據權利要求1的所述的方法，其特征在于：刻蝕陡直側壁的腔體至至少100um。
7.根據權利要求1的所述的方法，其特征在于：雙面研磨減薄包括先研磨密封帽層晶圓至PAD區域露出，再研磨襯底層晶圓至所需厚度；或先研磨襯底層晶圓至所需厚度，再研磨密封帽層晶圓至PAD區域露出，或同時將密封帽層晶圓至PAD區域露出，且襯底層晶圓至所需厚度。
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