[發(fā)明專利]光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210312433.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102830463A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 歐陽(yáng)征標(biāo);金鑫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G02B6/125 | 分類號(hào): | G02B6/125;G02B6/122 |
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 胡吉科 |
| 地址: | 518060 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光子 晶體 波導(dǎo) 偏振 整數(shù) 功率 分配器 | ||
1.一種光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,包括一個(gè)具有完全禁帶的光子晶體中形成的光子晶體波導(dǎo),其特征在于:所述的光子晶體由背景介質(zhì)柱陣列構(gòu)成;所述的光子晶體波導(dǎo)由一個(gè)橫向波導(dǎo)和一個(gè)與該橫向波導(dǎo)垂直相接的垂直波導(dǎo)構(gòu)成;所述橫向波導(dǎo)的一端為輸入端,其另一端為輸出端;所述的垂直波導(dǎo)為另一輸出端;所述橫向波導(dǎo)的中部設(shè)置有波導(dǎo)缺陷介質(zhì)柱。
2.按照權(quán)利要求1所述的光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,其特征在于:所述波導(dǎo)缺陷介質(zhì)柱和背景介質(zhì)柱均為單軸晶體,所述波導(dǎo)缺陷介質(zhì)柱單軸晶體的正負(fù)性與背景介質(zhì)柱單軸晶體的正負(fù)性相反。
3.按照權(quán)利要求2所述的光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,其特征在于:所述光子晶體波導(dǎo)中的背景介質(zhì)柱單軸晶體和波導(dǎo)缺陷介質(zhì)柱單軸晶體的光軸分別平行于背景介質(zhì)柱的軸線和波導(dǎo)缺陷介質(zhì)柱的軸線。
4.按照權(quán)利要求1所述的光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,其特征在于:所述的橫向波導(dǎo)為光子晶體中移除1排或2排或3排或4排介質(zhì)柱后的結(jié)構(gòu);所述的垂直波導(dǎo)為光子晶體中移除1列或2列或3列或4列介質(zhì)柱后的結(jié)構(gòu)。
5.按照權(quán)利要求1所述的光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,其特征在于:所述的刪除型點(diǎn)缺陷由橫向波導(dǎo)與垂直波導(dǎo)連接處的兩側(cè)波導(dǎo)壁各刪除一個(gè)背景介質(zhì)柱構(gòu)成。
6.按照權(quán)利要求1所述的光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,其特征在于:所述的波導(dǎo)缺陷介質(zhì)柱數(shù)量為1根或多根。
7.按照權(quán)利要求1所述的光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,其特征在于:所述的光子晶體波導(dǎo)為碲介質(zhì)四方晶格二維光子晶體波導(dǎo),或蜂窩結(jié)?構(gòu)二維光子晶體波導(dǎo),或孔狀三角晶格二維光子晶體波導(dǎo),或其它非規(guī)則形狀二維光子晶體波導(dǎo)。
8.按照權(quán)利要求1所述的光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,其特征在于:所述功率整數(shù)比為1:m或m:1,其中m為正整數(shù)。
9.按照權(quán)利要求1所述的光子晶體波導(dǎo)全偏振態(tài)整數(shù)比功率分配器,其特征在于:所述光子晶體中的波導(dǎo)缺陷介質(zhì)柱的軸線與波的傳播方向垂直。?
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