[發(fā)明專利]多層復(fù)合膜中懸空臺階的消除方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210311915.5
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103632952A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋礦寶
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 高為;王忠忠

1.?一種多層復(fù)合膜中低壓氮化硅層的懸空臺階的消除方法，包括：

使用四氟化碳?xì)怏w作為腐蝕氣體在電場中分解與復(fù)合從而生成激發(fā)態(tài)氟基，以及

通過使激發(fā)態(tài)氟基與所述低壓氮化硅層反應(yīng)生成氣態(tài)的四氟化硅和氮氣來腐蝕所述低壓氮化硅層的懸空臺階。

2.?如權(quán)利要求1所述的多層復(fù)合膜中氮化硅的懸空臺階的消除方法，其中，所述多層復(fù)合膜包括熱氧化層、低壓化學(xué)氣相沉積層和所述低壓氮化硅層。

3.?如權(quán)利要求1所述的多層復(fù)合膜中氮化硅的懸空臺階的消除方法，其中，所述低壓氮化硅層的懸空臺階是在所述低壓化學(xué)氣相沉積層的腐蝕過程中形成的。

4.?如權(quán)利要求1所述的多層復(fù)合膜中氮化硅的懸空臺階的消除方法，其中，對所述低壓化學(xué)氣相沉積層進(jìn)行腐蝕的材料是各向同性的腐蝕液。

5.?一種多層復(fù)合膜中低壓氮化硅層的懸空臺階的消除方法，其中腐蝕所述低壓氮化硅層的懸空臺階的腐蝕量取決于所述懸空臺階的長度。

6.?一種多層復(fù)合膜的腐蝕方法，所述多層復(fù)合膜包括熱氧化層、低壓化學(xué)氣相沉積層和低壓氮化硅層，所述方法包括：

使用低壓化學(xué)氣相沉積專用腐蝕液濕法腐蝕所述低壓化學(xué)氣相沉積層；

從所述低壓化學(xué)氣相沉積專用腐蝕液中快速取出所述多層復(fù)合膜并對所述多層復(fù)合膜沖水以去除殘余的所述低壓化學(xué)氣相沉積專用腐蝕液；以及

甩干所述多層復(fù)合膜后將其放在各向同性的干法腐蝕設(shè)備上，使用四氟化碳?xì)怏w作為腐蝕氣體對所述低壓氮化硅層進(jìn)行腐蝕程序處理。

7.?如權(quán)利要求6所述的多層復(fù)合膜的腐蝕方法，其中，使用四氟化碳?xì)怏w作為腐蝕氣體對所述低壓氮化硅層進(jìn)行腐蝕程序處理的步驟中的腐蝕量取決于所述低壓氮化硅層的懸空臺階的長度。

8.?如權(quán)利要求7所述的多層復(fù)合膜的腐蝕方法，其中，所述低壓氮化硅層的懸空臺階是在所述低壓化學(xué)氣相沉積層的腐蝕過程中形成的。

9.?如權(quán)利要求8所述的多層復(fù)合膜的腐蝕方法，其中，所述低壓化學(xué)氣相沉積專用腐蝕液是各向同性的腐蝕液。

10.?如權(quán)利要求7所述的多層復(fù)合膜中氮化硅的懸空臺階的消除方法，其中使用四氟化碳?xì)怏w作為腐蝕氣體對所述低壓氮化硅層進(jìn)行腐蝕程序處理包括：

使用四氟化碳?xì)怏w作為腐蝕氣體在電場中分解與復(fù)合從而生成激發(fā)態(tài)氟基，以及

通過使激發(fā)態(tài)氟基與所述低壓氮化硅層反應(yīng)生成氣態(tài)的四氟化硅和氮氣來腐蝕所述低壓氮化硅層的懸空臺階。