[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的平板顯示器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210311792.5 | 申請日： | 2012-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN103247690A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 安定根;李王棗 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 羅正云;宋志強 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 包括 平板 顯示器 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
位于襯底上的半導(dǎo)體層；
柵電極，通過柵絕緣層與所述半導(dǎo)體層電絕緣；
位于所述柵絕緣層和所述柵電極上的絕緣層；以及
位于所述絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極與所述半導(dǎo)體層連接，并且所述源電極和所述漏電極之一與所述柵電極的至少一部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述源電極、所述絕緣層和所述柵電極彼此重疊，以便提供電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述漏電極、所述絕緣層和所述柵電極彼此重疊，以便提供電容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣層包括暴露所述半導(dǎo)體層的接觸孔，并且所述源電極和所述漏電極通過所述接觸孔與所述半導(dǎo)體層連接。
5.一種平板顯示器，包括：
第一薄膜晶體管，與掃描線和數(shù)據(jù)線連接；
第二薄膜晶體管，與所述第一薄膜晶體管連接；以及
發(fā)光元件，與所述第二薄膜晶體管連接，
其中所述第二薄膜晶體管包括：
位于襯底上的半導(dǎo)體層；
柵電極，通過柵絕緣層與所述半導(dǎo)體層電絕緣；
位于所述柵絕緣層和所述柵電極上的絕緣層；以及
位于所述絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極與所述半導(dǎo)體
層連接，并且所述源電極與所述柵電極的至少一部分重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中所述源電極、所述絕緣層和所述柵電極彼此重疊，以便提供與所述第二薄膜晶體管集成在一起的電容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中所述絕緣層包括暴露所述半導(dǎo)體層的接觸孔，并且所述源電極和所述漏電極通過所述接觸孔與所述半導(dǎo)體層連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中所述第二薄膜晶體管的所述源電極與電源電壓連接，并且所述第二薄膜晶體管的所述漏電極與所述發(fā)光元件連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平板顯示器，其中所述發(fā)光元件包括陽極、有機發(fā)光層和陰極，并且所述陽極與所述第二薄膜晶體管的所述漏電極連接。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
