[發明專利]等離子處理裝置

有效

• 申請號: 201210311612.3
• 申請日: 2010-11-24
• 公開（公告）號: CN102832095A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 山澤陽平;松本直樹;巖崎征英;奧西直彥
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種等離子處理裝置，該裝置將高頻電源與配置在用于進行等離子處理的處理容器內的高頻電極電連接，且在用于將加熱電源和設置在上述高頻電極的發熱體電連接的供電線上設置有濾波器，該濾波器使經由上述發熱體進入到該供電線中來的規定頻率的高頻噪聲衰減或阻止該高頻噪聲，

上述濾波器包括：

一個線圈，其構成上述供電線的一部分；

筒形的外導體，其用于收容或包圍上述線圈，且與上述線圈成對地形成分布常數線路，該分布常數線路利用多個頻率構成并聯諧振；

并聯諧振頻率調節部，用于將上述多個并聯諧振頻率中的至少一個頻率錯開地進行調節，

上述多個并聯諧振頻率中的一個頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。

2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，

從上述處理容器內的處理空間側觀察，上述濾波器配置于上述高頻電極的背后。

3.一種等離子處理裝置，該裝置在用于進行等離子處理的處理容器內配置有用于保持被處理體的第一電極和與該第一電極相對的第二電極，且將輸出第一高頻的第一高頻電源與上述第一電極電連接，并且將輸出第二高頻的第二高頻電源與上述第一電極或上述第二電極電連接，該裝置在用于將加熱電源和設置在上述第一電極中的發熱體電連接的供電線上設置有濾波器，該濾波器用于使經由上述發熱體進入到該供電線中的規定頻率的高頻噪聲衰減、或阻止該高頻噪聲，

上述濾波器包括：一個線圈，其構成上述供電線的一部分；

筒形的外導體，其用于包圍或收容上述線圈，且與上述線圈成對地形成分布常數線路，該分布常數線路利用多個頻率構成并聯諧振；

并聯諧振頻率調節部，用于將上述多個并聯諧振頻率中的至少一個頻率錯開地進行調節，

上述多個并聯諧振頻率中的一個頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。

4.根據權利要求3所述的等離子處理裝置，

上述多個并聯諧振頻率中的一個頻率與上述第一高頻和上述第二高頻中的某一個頻率一致或相近。

5.根據權利要求3所述的等離子處理裝置，

上述多個并聯諧振頻率中的一個頻率與上述第一高頻的頻率一致或相近，上述多個并聯諧振頻率中的另一個頻率與上述第二高頻的頻率一致或相近。

6.根據權利要求3～5中的任一項所述的等離子處理裝置，

上述并聯諧振頻率調節部具有一個或多個特性阻抗局部可變構件，該特性阻抗局部可變構件配置在上述線圈與上述外導體之間，且在該特性阻抗局部可變構件的各配置位置上使上述分布常數線路的特性阻抗產生局部性變化。

7.根據權利要求6所述的等離子處理裝置，

上述特性阻抗局部可變構件使上述分布常數線路的特性阻抗產生10％以上的變化。

8.根據權利要求6或7所述的等離子處理裝置，

上述特性阻抗局部可變構件由以與上述線圈同軸的方式設置在上述外導體的內側的環狀構件構成。

9.根據權利要求8所述的等離子處理裝置，

上述環狀構件由導體構成，其與上述外導體和上述線圈中的一方電連接，與上述外導體和上述線圈中的另一方絕緣。

10.根據權利要求8所述的等離子處理裝置，

上述環狀構件由電介體構成。

11.根據權利要求8～10中任意一項所述的等離子處理裝置，

上述環狀構件是在與上述外導體的軸線方向正交的平面上呈圓環狀地延伸的板體。

12.根據權利要求8～11中任意一項所述的等離子處理裝置，

具有環狀構件位置調節部，其用于在上述外導體的軸線方向上調節上述環狀構件的相對于上述線圈的相對位置。

13.根據權利要求3～12中任意一項所述的等離子處理裝置，

從上述處理容器內的處理空間側觀察，上述濾波器配置于上述第一電極的背后。

14.根據權利要求2或13所述的等離子處理裝置，

并列設置多個上述發熱體，且在方位角方向上隔開均等的距離間隔地配置有多個上述濾波器，該多個上述濾波器分別與多個上述發熱體對應。