[發(fā)明專利]帶有埋置電極的半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210311484.2
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN102969288A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設計）人: C.阿倫斯;J.鮑姆加特爾;F.J.桑托斯羅德里古斯;H-J.舒爾策
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;劉春元

1.一種半導體器件，包括：

在被置放在半導體基板上的外延層中形成的有源器件區(qū)域；和

在所述半導體基板內(nèi)形成的空腔中被置放在所述有源器件區(qū)域下面的埋置電極，所述埋置電極包括不同于所述半導體基板的材料的導電材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述埋置電極包括金屬材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中所述埋置電極包括TiN或者鎢。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述埋置電極包括多晶硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述埋置電極包括碳。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，進一步包括從所述埋置電極延伸到所述半導體基板的表面的導電觸點。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體器件，其中所述觸點從所述埋置電極垂直地延伸到在其上置放所述外延層的所述半導體基板的表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體器件，其中所述觸點從所述埋置電極垂直地延伸到在其上置放所述外延層的所述半導體基板的相對表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體器件，其中所述觸點從所述埋置電極橫向地延伸到所述半導體基板的被置放在所述半導體基板的頂表面和底表面之間的側(cè)表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中與在所述半導體基板的、在半導體基板材料的更重摻雜的區(qū)域和所述有源器件區(qū)域之間的區(qū)域中相比，所述半導體基板的材料在鄰近于所述埋置電極的區(qū)域中被更重摻雜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述埋置電極的導電材料沿著在所述半導體基板中形成的空腔的側(cè)壁被置放從而空腔被置放在所述埋置電極的內(nèi)部部分中。

12.一種制造半導體器件的方法，包括：

在半導體基板內(nèi)形成空腔；

在被置放在所述半導體基板上的外延層中形成有源器件區(qū)域；和

在所述空腔中在所述有源器件區(qū)域下面形成埋置電極，所述埋置電極包括不同于所述半導體基板的材料的導電材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，包括至少部分地利用金屬材料填充所述空腔。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，包括至少部分地利用TiN或者鎢填充所述空腔。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，包括至少部分地利用多晶硅填充所述空腔。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，包括至少部分地利用碳填充所述空腔。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進一步包括形成觸點，所述觸點從所述埋置電極延伸到所述半導體基板的表面并且與所述埋置電極形成互連。

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中通過保形化學汽相沉積工藝、原子層沉積工藝或者濕法工藝來形成所述埋置電極，并且通過濺射或者電鍍工藝來形成所述觸點。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進一步包括與在所述半導體基板的、在半導體基板材料的更重摻雜的區(qū)域和所述有源器件區(qū)域之間的區(qū)域中相比，在鄰近于所述空腔的區(qū)域中更重摻雜所述半導體基板的材料。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中通過在埋置電極在空腔中形成之前將具有氣態(tài)形式的摻雜劑引入到所述空腔中并且執(zhí)行擴散工藝以激活所述摻雜劑，鄰近于所述空腔的所述半導體基板的材料被更重摻雜。

21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，包括沿著所述空腔的側(cè)壁置放所述埋置電極的導電材料從而所述埋置電極的內(nèi)部部分具有未被填充的空腔。

22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中通過在所述半導體基板中形成多孔區(qū)域并且隨后在足夠高以從所述多孔區(qū)域形成所述空腔的溫度下在所述半導體基板上形成所述外延層，在所述半導體基板內(nèi)形成所述空腔。

23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中通過利用質(zhì)子照射所述半導體基板的區(qū)域并且隨后在足夠高以從被照射區(qū)域形成所述空腔的溫度下將所述半導體基板退火，在所述半導體基板內(nèi)形成所述空腔。