[發明專利]一種半導體材料的激光加工方法

無效

• 申請號: 201210311297.4
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN102896430A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 肖和平;李琳;李成森
• 申請（專利權）人: 肖和平
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38
• 代理公司: 揚州蘇中專利事務所(普通合伙) 32222
• 代理人: 孫忠明

1.一種半導體材料的激光加工方法，所述半導體材料包括元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體，如硅、鍺、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、藍寶石以及摻雜（硼、磷、銦和銻）制成其它化合物半導體，其特征是，所述加工方法采用多光束激光系統對半導體材在同一加工位置同時進行精密加工或是單束激光系統對半導體材在同一加工位置進行重復多次精密加工。

2.根據權利要求1所述的一種半導體材料的激光加工方法，其特征是，所述多光束激光加工系統包括兩路或兩路以上的激光光束，多光束激光中的各光路有獨立的焦距調整定位系統，兩路激光間距1～100000μm，激光器為固體、CO₂、準分子激光器；波長195～1064nm，頻率20～150KHZ，功率1～100W，焦點1～1000mm，加工速度40～1500mm/s。

3.根據權利要求1所述的一種半導體材料的激光加工方法，其特征是，所述多光束激光系統同時進行的精密加工，先利用第一路激光對半導體材料進行切割加工，第二路激光在第一路激光加工的相同位置進行加工，第二路激光的頻率、焦點、激光能量、加工速度等工藝參數均可與第一路激光的頻率、焦點、激光能量、加工速度不同，其作用是對第一路激光與半導體材料作用產生的位于切割道兩邊緣、切割道內部堆積的熔渣進行加工，將切割道邊緣的熔渣和切割道內部的熔渣去除，使得切割道邊緣變得光滑，內部交聯狀的重結晶熔渣被清除。

4.根據權利要求1所述的一種半導體材料的激光加工方法，其特征是，所述單光束激光系統進行的重復多次精密加工，其激光器為固體、CO₂、準分子激光器，波長195～1064nm，頻率20～150KHZ，功率1～100W，焦點1～1000mm，加工速度40～1500mm/s，利用激光對半導體材料進行第一次切割加工，在相同位置進行重復第二次激光加工，第二次加工的激光頻率、焦點、功率、加工速度等參數均可與第一次激光的頻率、焦點、功率、加工速度不同，其作用是對第一次激光與半導體材料作用產生的位于切割道兩邊緣、切割道內部堆積的熔渣進行加工，將切割道邊緣的熔渣和切割道內部的熔渣去除，使得切割道邊緣變得光滑，內部交聯狀的重結晶熔渣被清除。

5.根據權利要求1或4所述的一種半導體材料的激光加工方法，其特征是，所述單光束激光系統的重復加工方法中所提及的“重復多次”為兩次或兩次以上。