[發(fā)明專利]處理基板的裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210311206.7 | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN102969259A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭泓具;金鎮(zhèn)浩 | 申請(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 楊生平;鐘錦舜 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,包括:
第一室;
具有內(nèi)部空間的第二室,所述內(nèi)部空間與所述第一室的內(nèi)部空間連接;
沿第一方向傳送基板的基板傳送部件;
被設(shè)于所述第一室中的處理溶液供給部件,用于向所述基板上供給處理溶液;以及
被設(shè)于所述第二室中的清洗溶液供給單元,所述清洗溶液供給單元包括用于在所述基板上供給清洗溶液的清洗溶液供給部件;
其中所述基板傳送部件包括:
被設(shè)于所述第一室和所述第二室中的每一個中并沿第一方向布置的多個傳送軸;以及
支撐所述傳送軸的框架,并且
其中所述框架包括:
被設(shè)于所述第一室中的水平框架,由所述水平框架支撐的傳送軸具有水平頂部;
被設(shè)于所述第二室中的成角度框架,由所述成角度框架支撐的傳送軸具有成角度的頂部;并且
被設(shè)于所述水平框架和在所述第二室中的成角度框架之間的變角框架,所述變角框架將由其支撐的傳送軸的頂部從水平狀態(tài)變?yōu)槌山嵌葼顟B(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,進(jìn)一步包括處理溶液回收單元,所述處理溶液回收單元被設(shè)于所述第一室中以回收剩余在所述基板上的處理溶液,
其中所述處理溶液回收單元包括:
第一支撐輥;
向所述基板的由所述第一支撐輥支撐的區(qū)域噴射加壓流體的加壓流體供給部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中,所述第一支撐輥被設(shè)于所述傳送軸之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中所述第一支撐輥被提供為具有與傳送輥位于相同豎直高度的頂部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中所述第一支撐輥被提供為具有比所述傳送輥高的豎直高度的頂部。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的裝置,所述第一支撐輥具有圓柱形形狀并且其軸向平行于所述傳送軸的軸向。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中所述第一支撐輥的直徑大于所述傳送軸的直徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其中所述處理溶液回收單元位于所述第一室的末端部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述變角框架包括:
支撐所述傳送軸的一側(cè)末端部分的第一變角框架;
支撐所述傳送軸的另一側(cè)末端部分的第二變角框架。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,其中所述清洗溶液供給部件位于所述變角框架上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置,其中所述清洗溶液供給單元進(jìn)一步包括被設(shè)于所述傳送軸之間的第二支撐輥,以具有由所述變角框架支撐的末端部分,并且
所述清洗溶液供給部件用于向所述基板的由所述第二支撐輥支撐的區(qū)域上噴射所述清洗溶液。
12.一種基板處理裝置,包括:
室;
被設(shè)于所述室中的基板傳送部件,其包括:多個傳送軸,所述傳送軸沿第一方向布置以沿所述第一方向傳送基板;以及多個傳送輥,所述傳送輥中的每個被設(shè)于每個所述傳送軸的外周表面上,以與所述基板接觸;
設(shè)于所述室中的處理溶液供給部件,用于向所述基板供給處理溶液;以及
處理溶液回收單元,回收剩余在所述基板上的所述處理溶液;
其中所述處理溶液回收單元包括:
被設(shè)于所述傳送軸之間的第一支撐輥;以及
向所述基板的由所述第一支撐輥支撐的區(qū)域噴射加壓流體的加壓流體供給部件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中所述第一支撐輥具有與所述傳送輥實質(zhì)相同的豎直高度的頂部。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中所述第一支撐輥具有位于比所述傳送輥高的豎直高度的頂部。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任一項所述的裝置,其中所述第一支撐輥具有圓柱形形狀,并且其軸向平行于所述傳送軸的軸向。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置,其中所述第一支撐輥具有與所述基板寬度相比相同或更大的長度。
17.一種處理傳送中的基板的方法,包括:向第一室中被水平傳送中的基板供給處理溶液,噴射加壓流體以回收剩余在所述基板上的處理溶液,并且,然后在第二室中將所述基板的位置從水平狀態(tài)變?yōu)槌山嵌葼顟B(tài)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,進(jìn)一步包括在將所述基板從水平狀態(tài)變?yōu)槌山嵌葼顟B(tài)期間,向所述基板供給清洗溶液。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





