[發明專利]紡織材料上沉積納米TiO2薄膜的方法

無效

• 申請號: 201210311041.3
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN102899623A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 蔣建業
• 申請（專利權）人: 昆山鐵牛襯衫廠
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種紡織材料上沉積納米TiO2薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：

以高純金屬Ti靶為靶材，經預處理的紡織材料為基材，采用直流反應磁控濺射設備在室溫條件下制備紡織材料基納米TiO2薄膜，所有樣品均采用基材在上、靶材在下的結構，即由下向上的濺射方式制備納米TiO2薄膜，以避免雜質顆粒落到基材表面；同時，為控制薄膜沉積時基材的溫度，避免由于高溫而發生的基材變形，采用水冷裝置冷卻基片；為保證納米TiO2薄膜的純度，先將反應室抽至本底真空，然后通入高純氬氣作為濺射氣體，高純氧氣作為反應氣體。

2.根據權利要求1所述的一種紡織材料上沉積納米TiO2薄膜的方法，其特征在于，每次濺射之前，都預先在不加氧的純氬氣中預濺射5min左右，以除去靶表面的氧化物，當觀察到靶表面輝光放電顏色由粉紅變成藍白色時，表明氧化物已除去，然后再通入氧氣進行反應濺射。

3.根據權利要求2所述的一種紡織材料上沉積納米TiO2薄膜的方法，其特征在于，為使濺射反應產生的TiO2粒子能均勻附著在基材上，基材以100r/min的速度旋轉。

4.根據權利要求1所述的一種紡織材料上沉積納米TiO2薄膜的方法，其特征在于，薄膜厚度由膜厚儀測量控制。

5.根據權利要求1所述的一種紡織材料上沉積納米TiO2薄膜的方法，其特征在于，所述的高純金屬Ti靶純度為99.999％，直徑50mm。