[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201210311036.2 | 申請日: | 2012-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN102856321A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 劉磊 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;G09G3/20;G02F1/1362 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,TFT)陣列基板及顯示裝置。
背景技術
現有的薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-LCD)中,液晶顯示面板是由薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板對盒后,在薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板之間填充液晶形成。
其中,薄膜晶體管陣列基板包括多個像素單元,目前市場主流的薄膜晶體管陣列基板中,每個像素單元由分別用于紅(R)、綠(G)、藍(B)顏色顯示的三個亞像素單元組成。如附圖1所示,為現有的TFT-LCD陣列基板的結構示意圖,包括襯底基板101,以及在襯底基板101上以陣列形式排列的數據線103和掃描線104(即柵線),數據線103和掃描線104相互垂直交叉限定各亞像素,每個亞像素包括像素電極102和TFT,其中,數據線103與數據驅動(即源極驅動,Source)集成電路105相連,掃描線(即柵線)104與掃描驅動(即柵極驅動,Gate)集成電路106相連,一條數據線103對應控制一列像素電極102中同一類型的亞像素對應的像素電極(例如紅色亞像素對應的像素電極),一條掃描線104對應控制一行像素電極102。
現有的驅動方式中,每行像素單元需要對應一條掃描線,每一列亞像素單元對應一條數據線,布線較多其較復雜。
鑒于此,本發明提供了一種TFT陣列基板和顯示裝置,用以克服上述缺陷。
發明內容
本發明提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置,用以減少陣列基板的布線量,降低復雜度以及節約成本。
本發明實施例提供的具體技術方案如下:
一種薄膜晶體管陣列基板,包括像素單元陣列,任意一列像素單元對應一條或兩條數據線,同一列像素單元中屬于同一像素單元的各亞像素連接至同一條數據線;
針對任意一行像素單元,設置與一個像素單元包含的亞像素數目一致的柵線,屬于同一像素單元的各亞像素分別連接至不同的柵線,各柵線分別連接一電子開關后連接至同一柵極驅動信號,各電子開關的控制端分別連接時序控制信號,所述時序控制信號控制各電子開關在不同時刻通斷。
一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
基于上述技術方案,本發明實施例中,對應一列像素單元設置一條或兩條數據線,對于同一列像素單元中屬于同一像素單元的各亞像素連接至同一條數據線,同時,針對任意一行像素單元,設置與一個像素單元包含的亞像素數目一致的柵線,屬于同一像素單元的各亞像素分別連接至不同的柵線,各柵線連接一電子開關后連接至同一柵極驅動信號,各電子開關的控制端分別連接時序控制信號,通過時序控制信號控制各電子開關在不同的時刻通/斷,從而在不增加柵線數量及柵極驅動的情況下,減少數據線的數量,從而減少陣列基板的布線量,降低復雜度以及節約成本。
附圖說明
圖1為現有的TFT-LCD陣列基板的結構示意圖;
圖2a為本發明實施例中TFT陣列基板結構示意圖;
圖2b為本發明實施例中另一TFT陣列基板結構示意圖;
圖3為本發明實施例中時序控制信號及柵極驅動信號時序圖;
圖4為本發明實施例中像素單元結構示意圖。
具體實施方式
為了減少陣列基板的布線量,降低復雜度以及節約成本,本發明實施例提供了一種薄膜晶體管(TFT)陣列基板。
下面結合附圖對本發明優選的實施方式進行詳細說明。
以下實施例中,以掃描驅動線(即柵極驅動線)水平分布、數據線垂直分布為例進行說明,實際應用中,也可以是掃描驅動線垂直分布、數據線水平分布,即將以下附圖2a和2b向左或向右旋轉90°即可得到掃描驅動線垂直分布、數據線水平分布的情況,對于這兩種情況,掃描驅動線與各像素單元的連接以及數據線與各像素單元的連接關系相同。
以下實施例中,像素單元可以是傳統的包含三個亞像素(紅、綠、藍)的傳統像素單元,也可以是改進后的包含三個以上亞像素的像素單元。以下實施例中像素單元由橫向(即平行于柵線)排列的四個亞像素組成為例,同樣,像素單元由縱向(即平行于數據線)排列的四個亞像素也同樣適用。其他實施例中也相同,在此不再贅述。
如附圖2a和附圖2b所示,本發明實施例提供的TFT陣列基板,包括像素單元201陣列,其中,任意一列像素單元對應一條或兩條數據線202,同一列像素單元中屬于同一像素單元的各亞像素203連接至同一條數據線;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





