[發明專利]二氧化鈦納米管（桿）陣列的制備方法

有效

• 申請號: 201210310647.5
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN102795665A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 闕文修;尹行天;費端
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C01G23/08
• 分類號: C01G23/08;C03C17/25;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.二氧化鈦納米管（桿）陣列的制備方法，其特征在于：

1）首先將8～10毫摩爾的氟鈦酸銨和18～22毫摩爾的硼酸分別溶于去離子水中，然后將硼酸溶液倒入氟鈦酸銨溶液中，混合均勻后定容至100毫升得混合溶液，再將潔凈ITO導電玻璃基片浸入混合溶液中，然后用去離子水沖洗干凈，吹干，在ITO導電玻璃基片上制得二氧化鈦預處理層；

2）將單乙醇胺溶于20毫升乙二醇甲醚中，然后再加入1～16毫摩爾的二水合乙酸鋅，使單乙醇胺與鋅離子的物質的量之比為1∶1；然后將混合物密封并置于58～62℃的水浴鍋磁力攪拌均勻得到氧化鋅溶膠，將氧化鋅溶膠取出后在室溫下靜置12～18小時，利用旋轉涂層工藝以3000轉/分鐘將上述靜置后的氧化鋅溶膠旋涂在已制備二氧化鈦預處理層的ITO導電玻璃基片上，然后將其放在195～205℃的烘箱中處理5～10分鐘，再將ITO導電玻璃基片置于450～500℃的馬弗爐中處理0.5～1小時，得到氧化鋅籽晶層；

3）將4毫摩爾的六水合硝酸鋅，80毫摩爾的氫氧化鈉分別溶于去離子水中，然后將硝酸鋅溶液倒入氫氧化鈉溶液中混合均勻，再在容量瓶中定容至100毫升，混合均勻得到生長液，然后將已制備的覆蓋有氧化鋅籽晶層的ITO導電玻璃基片浸入生長液中在80℃水浴中生長5～20分鐘，然后將ITO導電玻璃基片取出，用去離子水沖洗干凈、吹干，得到氧化鋅納米線陣列；

4）將5～7.5毫摩爾的氟鈦酸銨和15～20毫摩爾的硼酸分別溶于去離子水中，然后將硼酸溶液倒入氟鈦酸銨溶液中，混合均勻后定容至100毫升制成沉積液，然后將已制備有氧化鋅納米線陣列的ITO導電玻璃基片浸入沉積液中，然后將其取出，用去離子水沖洗干凈、吹干，將所得ITO導電玻璃基片置于400～450攝氏度的馬弗爐中處理1小時，即得到晶化的二氧化鈦納米管（桿）陣列。

2.根據權利要求1所述的二氧化鈦納米管（桿）陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟3）覆蓋有氧化鋅籽晶層的ITO導電玻璃基片將氧化鋅籽晶層面向下以60度角浸入生長液中。

3.根據權利要求1所述的二氧化鈦納米管（桿）陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟3）通過控制生長時間來控制氧化鋅納米線的長度。

4.根據權利要求1所述的二氧化鈦納米管（桿）陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟4）制備有氧化鋅納米線陣列的ITO導電玻璃基片將氧化鋅納米線陣列的面向下以60度角浸入沉積液中。